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100V N沟道增强型MOSFET: AP3N10BI,100V/3A N-MOS

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Typical application scheme :	美容雾化,小信号开关MOS,蓄电池保护, Load switch 负载开关,UPS
Product Keyword :	N-MOS,APM MPS,台湾永源微，
Channel Mode :	100V N沟道增强型MOSFET,
Polarity Configuration :	N-MOS,
Technology :	沟槽工艺Trench N-MOS,
MOQ（Pcs） :	3000PCS,
VDS(V) :	VDS = 100V,
ID（A） :	ID =2.8 A,
VGS (±V) :	VGS=±20,
ESD HBM (KV) :	无静电保护，
Rdson @10V(mΩ) :	Rdson Max.@10V=310mΩ,
Rdson @4.5V(mΩ) :	Rdson Max.@4.5V=320mΩ,
Vgs(th)（V） :	Vgs(th).Min.=1.0V,Vgs(th).Typ=1.5V,Vgs(th).Max.=2.5V,
Qg(nC) :	Qg=13.6nC,
Qgs(nC) :	Qgs=2.2nC,
Qgd(nC) :	Qgd=2.4nC,
Ciss(pF) :	Ciss=711pF,
Coss(pF) :	Coss=41pF,
Crss(pF) :	Crss=23pF,
Alternative model :	3N10，