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 12-250V Trench沟槽N-MOS 筛选

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制造商 : 不限

APM

分类目录: 不限

12-250V Trench沟槽N-MOS

产品关键字: 不限

N-MOS,APM MPS,台湾永源微，

典型应用方案: 不限

美容雾化,小信号开关MOS,蓄电池保护, Load switch 负载开关,UPS

替代型号: 不限

3N10，

反馈结电容Crss: 不限

Crss=23pF,

输出结电容Coss: 不限

Coss=41pF,

输入结电容Ciss: 不限

Ciss=711pF,

栅漏电荷Qgd: 不限

Qgd=2.4nC,

栅源电荷Qgs: 不限

Qgs=2.2nC,

总栅极电荷Qg: 不限

Qg=13.6nC,

开启电压Vgs(th): 不限

Vgs(th).Min.=1.0V,Vgs(th).Typ=1.5V,Vgs(th).Max.=2.5V,

导通内阻Rdson @4.5V(mΩ): 不限

Rdson Max.@4.5V=320mΩ,

导通内阻Rdson @10V(mΩ): 不限

Rdson Max.@10V=310mΩ,

Ron*Qg(优值，FOM)(Ω.nC): 不限

无静电保护，

最大驱动电压VGS (±V): 不限

VGS=±20,

最大漏源电流ID（A）: 不限

ID =2.8 A,

击穿电压VDS(V): 不限

VDS = 100V,

最小包装MOQ（Pcs）: 不限

3000PCS,

工艺技术: 不限

沟槽工艺Trench N-MOS,

极性: 不限

N-MOS,

沟槽类型: 不限

100V N沟道增强型MOSFET,
已选条件: 美容雾化,小信号开关MOS,蓄电池保护, Load switch 负载开关,UPS 3N10， Qgs=2.2nC, Rdson Max.@4.5V=320mΩ, [ 共找到 1 款产品 ]
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