您所在的位置 > 首页 > 产品 > 12-250V Trench沟槽N-MOS

 

隐藏
>> 全部分类

热销产品

最近浏览产品

您还没有浏览任何产品

清空历史记录

 12-250V Trench沟槽N-MOS 筛选

收起筛选

制造商 : 不限

APM

分类目录: 不限

12-250V Trench沟槽N-MOS

产品关键字: 不限

N+P沟道MOS,100V N+P-沟道MOS，开关MOS，N+P-MOS,N+P场效应管，N+P双MOS管

典型应用方案: 不限

●蓄电池保护 ●负载开关 ●不间断电源

栅源电荷Qgs: 不限

N沟道：Qgs=1.4nC,P沟道：Qgs=3.5nC,

总栅极电荷Qg: 不限

N沟道：Qg=7.6nC,P沟道：Qg=20nC,

开启电压Vgs(th): 不限

N沟道：Vgs(th)=3.0V,P沟道：Vgs(th)=-3.0V,

导通内阻Rdson @4.5V(mΩ): 不限

N沟道：RDS(ON) < 300mΩ @ VGS=4.5V；P沟道：RDS(ON) < 230mΩ @ VGS=4.5

导通内阻Rdson @10V(mΩ): 不限

N沟道：RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=10V；P沟道：RDS(ON) < 210mΩ @ VGS=10V，

Ron*Qg(优值，FOM)(Ω.nC): 不限

N沟道：FOM=0.57Ω.nC,P沟道：FOM=4.2Ω.nC

最大驱动电压VGS (±V): 不限

VGS=±20，

最大漏源电流ID（A）: 不限

N沟道：ID =8A，P沟道： ID =-6.5A ，

击穿电压VDS(V): 不限

VDS = 100V,

最小包装MOQ（Pcs）: 不限

5000PCS,

工艺技术: 不限

AP8G06NF采用先进的沟槽技术 以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和 栅极电压低至4.5V时的操作。

极性: 不限

N+P-沟道MOS，N+P双MOS

沟槽类型: 不限

Trench沟槽工艺N+P-MOS，

封装形式: 不限

PDFN5*6-8L，
已选条件: N+P沟道MOS,100V N+P-沟道MOS，开关MOS，N+P-MOS,N+P场效应管，N+P双MOS管 ●蓄电池保护 ●负载开关 ●不间断电源 N沟道：Qgs=1.4nC,P沟道：Qgs=3.5nC, N沟道：RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=10V；P沟道：RDS(ON) < 210mΩ @ VGS=10V， N沟道：FOM=0.57Ω.nC,P沟道：FOM=4.2Ω.nC 5000PCS, [ 共找到 0 款产品 ]
重新筛选

 12-250V Trench沟槽N-MOS