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863-CPB95R450G1

型号：
CPB95R450G1
制造商：
功成半导体
批号：
CPB95R450G1
描述：
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货期：
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价格：
暂无价格
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询价数量：
沟槽类型 : N-channel Super Junction MOSFET
工艺技术 : 深沟槽超结MOS
极性 : N-channel
封装形式 : TO-263
导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ. : 390
导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max : 450
最大漏源电流ID（A） : 12
击穿电压VDS(V) : 950
产品性能 : 超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场
产品优势 : CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C
产品关键字 : CPB95R450G1
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