外置MOS，最大驱动50N MOSFET共阳极LED恒流芯片Hi7000D产品应用描述：
Hi7000D 是一款外围电路简单的多功能平均电流型 LED 恒流驱动器，适用于宽电压范围的非隔离式大功 率恒流 LED 驱动领域。
Hi7000D芯片 PWM 端口支持超小占空比的 PWM 调光， 可响应最小 60ns 脉宽。芯片Hi7000D采用我司专利算法，为客户提供最佳解决方案，最大限度地发挥灯具优势，以实现景观舞台灯高辉的调光效果，65536（256*256） 级高辉调光。PWM 端口为高电平时，芯片正常工作。为低电平时，芯片输出关闭。
芯片Hi7000D采用我司专利的平均电流控制算法，输出电流恒流精度 ≤±3％，且输出电流受输入输出电压、系 统电感的影响小；芯片内部集成环路补偿，外围电路 简洁，系统更加稳定可靠。芯片通过对 LD 端口实现模拟调光功能。LD 接 0.2-1.2V 模拟调光信号输入时，系统为模拟调光模式。
LD 模拟调光模式时，端口电压低于 0.2V，输出关闭。 也可以利用 LD 的模拟调光特性，配合 PWM 调光， 实现软启动功能。LD、PWM 引脚悬空时，建议与 VDD 引脚短接在 一起使用。
外置MOS，最大驱动50N MOSFET共阳极LED恒流芯片Hi7000D应用:
●景观亮化LED照明
●舞台调光效果灯
●高端汽车车灯LED照明
●LCD 背光照明
●建筑照明
外置MOS，最大驱动50N MOSFET共阳极LED恒流芯片Hi7000D驱动特性：
● Hi7000D支持高辉调光，65536:1 调光比。
● Hi7000D输入电压范围5V至100V宽输入的电源电压
● Hi7000D平均电流工作模式,输出电流可调范围 60mA~5A
● Hi7000D内置 5V 稳压管
● Hi7000D外驱 MOSFET，最大驱动 50N
● Hi7000D最大工作频率 1MHz
●Hi7000D芯片 恒流精度≤±3%
●Hi7000支持PWM调光/模拟调光/分段调光
● Hi7000D采用标准小尺寸封装：sot23-6
共阳极LED恒流芯片Hi7000D引脚定义和封装尺寸：
PIN脚位(Hi7000D)
| Hi7000D引脚名称 | Hi7000D引脚功能描述 |
1
| CS | 电流检测端口
|
| 2 | GND | 地
|
| 3 | VDD | 芯片工作电源 |
| 4 | LD | 模拟调光 |
| 5 | PWM | PWM调光 |
| 6 | GATE | NMOS GATE驱动管脚
|
共阳极LED恒流芯片Hi7000D芯片内部电路框架图
开关降压，共阳极LED恒流驱动芯片Hi7000D典型应用电路
开关降压型共阳极LED恒流芯片Hi7000D单路调光应用方案原理图
开关降压型共阳极LED恒流芯片Hi7000D原理图-RGBW 四路调光方案电路
开关降压，共阳极LED恒流驱动芯片Hi7000D应用说明
Hi7000D 是一款外围电路简单的多功能平均电流型 LED 恒流驱动器，适用于超宽电压范围的非隔离式恒流 LED 驱动领域。通过对 CS 端口的电流采样来实现精准的电流控制，芯片集成了多种调光模式，拓展了系统应用。
输出电流
输出电流由芯片内部的误差放大器采样并且和内部的 0.2V 进行比较以及误差放大，从而实现系统的恒流控制，输出电流公式如下:
Iout=0.2V/RCS*A
其中 Iout 为输出电流，Rcs 为系统的检流电阻。
Hi7000D芯片启动
Hi7000D系统上电后通过启动电阻对连接于电源引脚 VDD 的电容充电，当电源电压高于 4.5V 后，芯片电路开始工作，直到 VDD 端口电压稳定达到钳位电压 5.2V 左右，芯片的供电电流主要有 VDD端口接入的电阻 R3 提供，对于不同的功率 MOS，需要调整该电阻的大小以适应系统的电流损耗，MOS 越大，电阻越小，输入电压越低，需要的电阻越小，电阻 R3 的取值请参考 9.6。
Hi7000D调光设置
当LD 接入 0.2V~1.2V 模拟信号时，芯片进入模拟调光模式，当 LD 端口低于 0.2V 以下关闭输出。而且 LD 端口也可以实现 PWM 调光的功能，用 LD 端口进行 PWM 调光的时候 LD 端口的高电平要超过 1.2V。对 LD 脚并联电容，可以实现软启动功能。此外 PWM 端口支持超小占空比的 PWM 调光，可以响应<60ns 的 PWM 脉宽波形，当 PWM 信号为低电平，输出关闭，当 PWM 信号为高电平，输出开启，悬空的时候默认该端口为高电平输入。
Hi7000D的电感选择
由于芯片原理设定，不同的电感值，会影响到驱动的开关频率。电感值决定了输出电流在开关时的升降斜率，而电流斜率决定了 FET 开关时电流从波谷到波峰和波峰到波谷消耗的时间。
DCRL是电感的直流电阻值，VLED 是 LED 的压降，FETRDS(ON)是功率 MOSFET 的导通电阻，Vdiode为蓄流二极管的压降。开关频率可由下公式计算：
电感值越大，输出电流的开关越缓慢。由于 CS 检测到 MOSFET 的开关之间存在传播延时，使得期望值和真实的纹波电流之间存在细微的差异。但是，选择电感时，不应使电流峰值超过电感的额定饱和电流。
