外置MOS升压型60W功率的LED恒流驱动器OC6701B

外置MOS升压型LED驱动器OC6701B概述

 OC6701B是一款高效率、高精度的升压型大功率LED恒流驱动控制芯片。 OC6701B内置高精度误差放大器，固定关断时间控制电路，恒流驱动电路等，特别适合大功率、多个高亮度LED灯串恒流驱动。

 OC6701B采用固定关断时间的控制方式，关断时间可通过外部电容进行调节，工作频率可根据用户要求而改变。

 OC6701B通过调节外置的电流采样电阻，能控制高亮度LED灯的驱动电流，使LED灯亮度达到预期恒定亮度。在EN端加PWM信号，还可以进行LED灯调光。

 OC6701B内部集成了VDD稳压管，软启动以及过温保护电路，减少外围元件并提高系统可靠性。

 OC6701B采用SOP8封装。

外置MOS升压型LED驱动器OC6701B特点

●宽输入电压范围：2.6V~100

●高效率：可高达95%

●最大工作频率：1MHz

●CS限流保护电压：250mV

●FB电流采样电压：250mV

●芯片供电欠压保护：2.6V

●关断时间可调

●智能过温保护

●软启动

●内置VDD稳压管

外置MOS升压型LED驱动器OC6701B应用

●LED灯杯

●单节电池以上供电的 LED 灯串

●平板显示LED背光

●大功率LED照明

外置MOS升压型LED驱动器OC6701B典型应用电路图

外置MOS升压型LED驱动器OC6701B的封装及管脚分配

OC6701B管脚定义

OC6701B极限参数

功率达60W的外置MOS升压型LED驱动器OC6701B应用指南

  OC6701B是一款升压型大功率LED恒流驱动控制IC，采用固定关断时间的峰值电流模式控制方式。

  芯片内部由误差放大器、PWM比较器、电感峰值电流限流、固定关断时间控制电路、PWM逻辑、功率管驱动、基准等电路单元组成。

  芯片通过FB管脚来采样LED输出电流。系统处于稳态时FB管脚电压VFB恒定在约250mV。当VFB电压低于250mV时，误差放大器的输出电压即COMP管脚电压升高，从而使得在功率管导通期间电感的峰值电流增大，因此增大了输入功率，VFB电压将会升高。反之，当VFB电压高过250mV时，误差放大器的输出电压会逐渐降低，从而使得在功率管导通期间电感的峰值电流减小，因此减小了输入功率，VFB电压随之降低。

  芯片通过CS管脚采样电感电流，实现峰值电流控制。此外，CS脚还用来限制最大输入电流，实现过流保护功能。

  系统关断时间可通过连接到TOFF管脚的电容COFF来设置。通过设定关断时间，可设置系统的工作频率。

COMP管脚是误差放大器的输出端，可以在COMP脚外接电阻、电容来实现频率补偿。

OC6701内部集成了VDD稳压管，以及软启动和过温保护电路。

升压恒流芯片OC6701B的LED电流设置

LED输出电流由连接到FB管脚的反馈电阻RFB设定：

T_OFF设置

  如果不外接C_OFF，OC6701B内部将关断时间设定为620ns。对于大多数应用，建议C_OFF电容取值为22~33pF或更大。

OC6701B系统工作频率Fs

  系统工作频率F_S由下式确定：

其中V_IN、V_OUT分别是系统输入和输出电压。

OC6701B外围电感取值

  流过电感的纹波电流大小与电感取值有关。工作于连续模式时电感纹波电流由下式确定：

增大电感值纹波电流会减小，反之增大。

连续模式下电感的峰值电流由下式确定：

电感电流工作在连续模式与非连续模式的临界值由下式确定：

电感数值大于Lcri则系统工作在连续模式，电感数值小于Lcri则系统工作在非连续模式。 在电感选择时，应保证流过电感的峰值电流不引起电感的磁饱和。通常要求电感的饱和电流大于电感峰值电流的1.5倍以上。同时应选择低ESR的功率电感，在大电流条件下电感自身的ESR会显著影响系统的转换效率。

OC6701B电路的R_CS设置

 需合理设置RCS电阻阻值，以防止在正常负载下因为输入限流而限制输出功率。

  其中η表示转换效率，典型地可取90%。应在最低输入电压下计算得到R_CS值。

 系统的最大峰值电流I_PK由电阻R_CS限定：

OC6701B电路外置MOS管选择

 首先要考虑MOS管的耐压，一般要求MOS管的耐压高过最大输出电压的1.5倍以上。其次，根据驱动LED电流的大小以及电感最大峰值电流来选择MOS管的I_DS电流。一般MOS管的I_DS最大电流应是电感最大峰值电流的2倍以上。此外，MOS管的导通电阻R_DSON要小，R_DSON越小，损耗在MOS管上的功率也越小，系统转换效率就越高。

 另外，高压应用时应注意选择阈值电压在2.5V以内的MOS管。芯片的工作电源电压决定了DRV驱动电压。通常芯片的驱动电压为5.5V，所以应保证MOS管在VGS电压等于5.5V时导

通内阻足够低。

OC6701B芯片供电电阻选择

 OC6701B通过供电电阻RVDD对芯片VDD供电。

  其中VDD取5.5V, I_VDD典型值取2mA，VIN为输入电压。当开关频率设置的较高或者MOS管的输入电容较大时，芯片工作电流会增大，相应地应减小供电电阻取值。

  芯片内部接VDD脚的稳压管最大钳位电流不超过10mA，应注意R_VDD的取值不能过小，以免流入VDD的电流超过允许值，否则需外接稳压管钳位。

OC6701B芯片过温保护

 当芯片温度过高时，系统会限制输入电流峰值，典型情况下当芯片内部温度超过135度以上时，过温调节开始起作用：随温度升高输入峰值电流逐渐减小，从而限制输入功率，增强系

统可靠性。