APM 一級代理 12-250V Trench沟槽N-MOS AP8N06SI
- 型號：
- AP8N06SI
- 製造商：
- APM
- 批號：
- AP8N06SI,AP8N06SI MOS 管，60V 8.5A 场效应管，SOT89-3L N 沟道 MOS, 低内阻锂电池保护开关，4.5V 低压驱动 MOS, 永源微 MOSFET, 国产替代
- 描述：
- AP8N06SI 是 APM 永源微 60V/8.5A 溝槽 N 溝道 MOS，SOT89-3L 封裝，典型 28mΩ 低內阻，支持 4.5V 單片機直驅，雪崩能量 21.5mJ，適用於充電寶、電動工具保護板。廣晟微一級代理常備現貨，提供樣品與全套方案支持，可替代 AO6606 等同規格 MOS。
- 庫存：
- 15000 PCS
AP8N06SI 60V/8.5A N溝道增強型MOS管 SOT89-3L貼片場效應管
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產品核心參數摘要：AP8N06SI是APM永源微推出SOT89-3L封裝60V N溝道增強型MOSFET，採用先進溝槽工藝，漏源耐壓60V，25℃環境連續導通電流可達8.5A，10V柵壓下典型導通內阻僅28mΩ，支持最低4.5V低壓驅動適配3.3V單片機IO；低柵電荷設計開關速度快，單脈衝雪崩耐受能量21.5mJ，-55℃~150℃寬温穩定運行，單顆額定功耗1.2W，內置續流體二極管，廣泛用於鋰電池保護板、DC-DC轉換、設備負載開關、小型UPS，廣晟微常備原裝現貨，可直接兼容AO6606、HC070N06等同封裝國產/進口MOS器件。
AP8N06SI MOS產品概述
AP8N06SI為APM永源微電子推出N溝道增強型功率MOS管，採用先進溝槽半導體工藝，擁有極低導通電阻、低柵極電荷，最低4.5V柵極即可驅動導通，適配MCU IO直接控制無需升壓驅動。封裝採用SOT89-3L小型貼片，散熱性能優良，額定耐壓60V、持續電流8.5A，單脈衝雪崩耐受21.5mJ，工作温度區間-55℃至150℃，符合RoHS環保標準，主要用於鋰電池保護、設備負載開關、小型不間斷電源等功率開關電路。
AP8N06SI核心產品優勢
1、先進溝槽工藝，導通內阻極低，VGS=10V典型Rds(on)僅28mΩ，滿載發熱小，整機轉換效率更高；
2、支持4.5V低壓柵極驅動，普通MCU 3.3V/5V IO無需升壓電路直接驅動，簡化外圍BOM；
3、低柵極總電荷Qg=20.3nC，開通、關斷速度快，開關損耗低，適合高頻開關電路；
4、60V高耐壓，8.5A大持續電流，脈衝峯值電流14.6A，單脈衝雪崩能量21.5mJ，抗浪湧衝擊；
5、內置體二極管，反向導通電流最大20A，適配雙向負載、防反接保護電路；
6、SOT89-3L小型貼片封裝，佔板面積小，適配小型數碼、便攜電池設備；
7、寬温區間-55℃~150℃，高低温環境參數穩定，户外、車載設備可靠；
8、原廠標準3000顆/卷編帶出貨，適配全自動SMT貼片，廣晟微常備現貨交期穩定；
完整電氣參數規格
絕對最大額定值（TC=25℃）
| 參數名稱 | 符號 | 額定值 | 單位 |
| 漏源耐壓 | VDS | 60 | V |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 25℃連續漏極電流 | ID | 8.5 | A |
| 70℃連續漏極電流 | ID | 5.8 | A |
| 脈衝漏極電流 | IDM | 14.6 | A |
| 單脈衝雪崩能量 | EAS | 21.5 | mJ |
| 雪崩電流 | IAS | 20.6 | A |
| 25℃總耗散功率 | PD | 1.2 | W |
| 存儲温度 | TSTG | -55~150 | ℃ |
| 工作結温 | TJ | -55~150 | ℃ |
| 結到環境熱阻 | RθJA | 62.5 | ℃/W |
| 結到外殼熱阻 | RθJC | 36 | ℃/W |
電氣特性（TJ=25℃）
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏源擊穿電壓V(BR)DSS | VGS=0V,ID=250μA | 60 | 65 | - | V |
| 零柵漏電流IDSS | VDS=60V,VGS=0V | - | - | 1.0 | μA |
| 柵極漏電流IGSS | VDS=0V,VGS=±20V | - | - | ±100 | nA |
| 開啓閾值VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.0 | 1.6 | 2.5 | V |
| 導通電阻RDS(on) | VGS=10V,ID=10A | - | 28 | 40 | mΩ |
| 導通電阻RDS(on) | VGS=4.5V,ID=5A | - | 33 | 45 | mΩ |
| 輸入電容Ciss | VDS=25V,f=1MHz | - | 1148 | - | pF |
| 輸出電容Coss | VDS=25V,f=1MHz | - | 58.5 | - | pF |
| 反向傳輸電容Crss | VDS=25V,f=1MHz | - | 49.4 | - | pF |
| 總柵電荷Qg | VDS=30V,ID=10A | - | 20.3 | - | nC |
| 開通延遲td(on) | VDS=30V,RG=1.8Ω | - | 7.6 | - | ns |
| 上升時間tr | VDS=30V,RG=1.8Ω | - | 20 | - | ns |
| 關斷延遲td(off) | VDS=30V,RG=1.8Ω | - | 15 | - | ns |
| 下降時間tf | VDS=30V,RG=1.8Ω | - | 24 | - | ns |
| 體二極管正向壓降VSD | IS=20A | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢復時間trr | IF=20A,dI/dt=100A/μs | - | 29 | - | ns |
引腳、內部結構與封裝尺寸
SOT89-3L引腳定義
AP8N06SI為標準SOT89-3L三引腳貼片MOS，引腳排布：1腳柵極G、2腳漏極D、3腳源極S；底部金屬散熱焊盤與D極連通，PCB鋪銅可大幅降低器件温升，提升持續載流能力。芯片內部集成N溝道MOS主體並聯續流體二極管，可實現雙向電流導通，簡化防反接、負載迴路設計。
內部電路框架説明
採用溝槽型垂直MOS結構，柵極與源極隔離耐壓±20V，漏源60V阻斷；源漏之間並聯低反向恢復速度體二極管，適合感性負載續流；低柵電容結構，開關損耗低，4.5V低壓驅動兼容通用MCU控制IO，無需額外電平轉換芯片。
SOT89-3L封裝關鍵尺寸
| 尺寸標識 | 最小值(mm) | 典型值(mm) | 最大值(mm) |
| 引腳寬度b | 0.40 | - | 0.58 |
| 器件本體寬度D | 4.40 | 4.50 | 4.60 |
| 散熱焊盤D1 | 3.00 | - | 3.30 |
| 引腳長度L | 0.90 | - | 1.10 |
標準SOT89通用焊盤庫可直接兼容AP8N06SI，PCB設計時D極散熱焊盤大面積鋪銅，降低熱阻，提升8.5A滿載長期工作穩定性。
典型應用電路與使用方法
標準電池保護電路
鋰電池保護標準電路：AP8N06SI串聯在電池負極迴路，G極由保護IC/MCU控制，高電平導通實現電池放電通路；搭配穩壓電阻限流柵極電流，體二極管實現充電反向導通，60V耐壓適配多串鋰電、12V/24V便攜儲能設備。
通用負載開關電路
電源輸入VIN接D極，負載接S極輸出，MCU IO串聯1k~10k下拉電阻接G極，IO輸出高電平MOS導通，IO低電平關斷，適合LED燈、電機、模塊電源通斷控制，4.5V即可驅動，3.3V單片機無需升壓。
產品使用注意事項
1、PCB散熱：D極焊盤儘量加大鋪銅面積，70℃環境下持續電流需降至5.8A以內；
2、柵極防護：G極串聯1k~10k限流電阻，避免靜電擊穿柵極，預留下拉電阻防止誤導通；
3、感性負載：電感、電機迴路增加RC吸收，抑制反向電壓擊穿MOS；
4、迴流焊：標準無鉛工藝峯值温度≤260℃，高温焊接時間不超過40秒，防潮拆封及時使用；
產品應用場景
1、鋰電/聚合物電池保護板：充電寶、手持吸塵器、電動工具、儲能小電源充放電開關；
2、通用負載開關：LED照明模塊、小型電機、藍牙/WiFi模塊電源控制；
3、小型不間斷電源UPS、DC-DC降壓升壓轉換電路；
4、3C數碼：藍牙耳機、便攜風扇、美容儀、手持霧化器功率控制；
5、智能家居、安防設備低壓功率開關回路；
訂貨包裝信息
| 產品型號 | 封裝 | 絲印標識 | 單卷數量 | 包裝規格 |
| AP8N06SI | SOT89-3L | AP8N06SI | 3000顆 | 13寸防潮編帶卷盤 |
原廠出貨採用鋁箔防潮袋密封，大批量整箱出貨，廣晟微可提供分卷、樣品拆零服務，批量訂單交期3-5個工作日。
兼容替代型號及競品對比優勢
可直接兼容替代MOS型號
同品牌兼容：AP4N06SI（4.8A小電流版本）；
國產替代：HC070N06LS、8N06 SOT89系列；
進口替代：ZXMS6005DN8、AO6606、SMF0608；
AP8N06SI與競品參數對比
| 對比項目 | AP8N06SI | AO6606 | HC070N06LS |
| 耐壓VDS | 60V | 60V | 60V |
| 持續電流ID | 8.5A | 6A | 6A |
| VGS=10V Rds(on) | 28mΩ典型 | 45mΩ | 200mΩ |
| 最低驅動電壓 | 4.5V可用 | 4.8V | 5V以上 |
| 雪崩能量EAS | 21.5mJ | 12mJ | 8mJ |
| 封裝 | SOT89-3L | SOT-23 | SOT89 |
| 供貨渠道 | 廣晟微常備現貨 | 進口交期長 | 流通庫存不穩定 |
AP8N06SI對比競品核心優勢
1、同等SOT89封裝下最大8.5A載流，高於市面6A同類MOS，大功率負載無需更換大封裝；
2、導通內阻遠低於同規格國產競品，發熱更低，設備温升控制更優，延長電池續航；
3、4.5V低壓柵極驅動，適配3.3V單片機，省去電平轉換電阻，簡化電路；
4、單脈衝雪崩耐受21.5mJ，抗電池衝擊、電感反向電壓能力更強，整機不良率更低；
5、廣晟微一級代理原廠貨源，現貨充足，交期3-5天，價格優於進口MOS，配套完整技術資料；
產品配套技術服務
1、免費樣品申領：每客户可免費申請5~20顆樣品用於樣機測試；
2、全套技術資料：原廠完整規格書、標準應用原理圖、PCB封裝庫、迴流焊參數；
3、電路方案支持：電池保護、負載開關電路整改、EMC優化技術指導；
4、一站式配套：同步供應MCU、保護IC、二極管、電阻電容全BOM物料；
廣晟微半導體為APM永源微一級授權代理商，常備AP8N06SI整卷現貨，提供免費樣品、規格書、標準應用電路、PCB佈線指導、批量階梯報價全流程技術配套服務。
廣晟微半導體企業介紹
廣晟微半導體（深圳）有限公司（以下簡稱“廣晟微”）成立於2023年，其前身流明芯（LUMENCHIP）創立於2010年，總部在科技之都深圳，是一家從成立伊始即專注於數模混合芯片的技術和產品落地，推動綠色智能科技發展的模擬芯片集成服務領導品牌。
廣晟微集海內外優秀模式與渠道為一體，打破傳統的獨立分銷、代理模式。創辦具有更強生命力的集混合代理分銷、市場分析與預測、技術方案服務、一站式配套供應於一體的雙模式。旗下代理線與自有品牌共存，分銷線與配套供應共存，三者相輔相成，特具風格。我們的宗旨只有一個，就是更好的全心全意為您服務，以滿足客户需求為目標，為全球客户提供創新性、客户化的產品和服務，幫助客户實現持續贏利和成功，構建客户市場的未來。我們同客户深入溝通，提供獨特的設計觀點，為客户提供具有競爭力的全面的解決方案和產品。自主研發，面向各電子細分行業領先企業，提供系列電源管理和智能控制解決方案，代理&分銷和方案服務領跑行業。
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廣晟微秉承“以奮鬥者為本，以客户為中心，堅持價值貢獻”的企業價值觀，專注代理芯片的技術和產品落地，推動綠色智能科技的持續發展，代理分銷和應用方案領跑全球半導體細分領域。
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