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AP5N10SI - 广晟微半导体一级代理
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APM 一級代理 12-250V Trench沟槽N-MOS AP5N10SI

型號:
AP5N10SI
製造商:
APM
批號:
AP5N10SI,APM MOS 管,100V N 沟道功率管,SOT89-3L,4.5V 低压 MOS, 锂电保护 MOS, 手机快充开关管,5A 场效应管,替代 STD5N10, 永源微
描述:
AP5N10SI 是 APM 原廠 100V/5A N 溝道增強型 MOSFET,SOT89 封裝支持 4.5V 低壓驅動,低內阻低柵電荷,內置體二極管。永源微 APM 一級代理現貨,適配鋰電保護、快充、無線充,可兼容多款同規格 MOS。
庫存:
120000 PCS
PDF:
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詢價數量:
封裝形式 : SOT89-3L
替代型號 : AP5N10SI、STD5N10、FDN5N10、SM5N10、YJ100N05
典型應用方案 : 锂电池保护板、手机快充、无线充电、小型 DC-DC 开关电源、小家电低压控制电路
產品關鍵字 : AP5N10SI,APM MOSFET,100V N 沟道 MOS,SOT89,4.5V 低压驱动,锂电保护开关管,快充功率管
溝槽類型 : Trench 沟槽
極性 : N 沟道 (N-Channel)
工藝技術 : 先进沟槽功率 MOS 工艺
最小包裝MOQ(Pcs) : 3000PCS
擊穿電壓VDS(V) : 100V
最大漏源電流ID(A) : 5A
最大驅動電壓VGS (±V) : ±20V
ESD靜電保護 HBM (KV) : 2244Ω.nC
導通內阻Rdson @10V(mΩ) : 88mΩ
導通內阻Rdson @4.5V(mΩ) : 95mΩ
開啟電壓Vgs(th) : 1.6V(典型值)
總柵極電荷Qg : 25.5
柵源電荷Qgs : 4.2
柵漏電荷Qgd : 4.3
輸入結電容Ciss : 677
輸出結電容Coss : 46
反饋結電容Crss : 32
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