產品核心參數摘要:AP5N10SI是APM原廠SOT-89-3L封裝100V N溝道MOSFET,最大連續電流5A,VGS=10V時導通電阻低於110mΩ,支持4.5V低壓柵極驅動,內置續流體二極管;具備2000V ESD防護,低柵電荷,適配鋰電池保護、手機快充、無線充電設備。廣晟微為APM一級授權代理商,現貨庫存充足,可免費提供樣品、規格書、PCB佈線指導與全套電源方案,可兼容替換同規格100V/5A N溝道MOS競品。
AP5N10SI 100V/5A N溝道增強型MOSFET|4.5V低壓驅動 SOT-89封裝功率管
AP5N10SI為APM採用先進溝槽工藝打造N溝道增強型功率MOS管,額定耐壓100V,連續漏極電流5A,可支持最低4.5V柵極驅動電壓,導通內阻優異、柵極電荷極低,器件集成反向續流二極管,簡化外圍整流電路。
芯片散熱性能優秀,SOT89封裝最大功耗3.5W,工作結温區間-55℃~150℃,抗衝擊脈衝電流可達15A,穩定應用鋰電池保護電路、手機快充模塊、無線充電、小型開關電源等低壓開關場景,長期工作温升可控,不易熱擊穿。
配套內部電路原理圖:

產品核心優勢:100V耐壓/5A連續電流|支持4.5V低壓柵驅動|Rds(on)低至88mΩ|超低柵極電荷|內置續流二極管|SOT89-3L貼片封裝|最大功耗3.5W|寬温-55~150℃|脈衝電流15A|適配快充/鋰電保護|兼容多款國產進口同規格MOS
AP5N10SI 訂貨包裝信息
| 物料型號 | 封裝規格 | 絲印標識 | 標準包裝 |
|---|
| AP5N10SI | SOT89-3L | AP5N10SI XXX YYYY | 3000PCS/卷 |
AP5N10SI 極限額定參數(Tc=25℃)
| 符號 | 參數名稱 | 額定值 | 單位 |
|---|
| VDS | 漏源耐壓 | 100 | V |
| VGS | 柵源電壓 | ±20 | V |
| ID(25℃) | 25℃連續漏極電流 | 5 | A |
| ID(70℃) | 70℃連續漏極電流 | 3.6 | A |
| IDM | 脈衝漏極電流 | 15 | A |
| PD | 25℃封裝最大功耗 | 3.5 | W |
| TSTG | 存儲温度範圍 | -55 ~ 150 | ℃ |
| TJ | 工作結温範圍 | -55 ~ 150 |
| RθJA | 結到環境熱阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 結到外殼熱阻 | 40 | ℃/W |
温馨提示:器件長期超極限參數運行會永久損壞MOS管,大幅縮短快充、鋰電保護板使用壽命。
AP5N10SI 電氣特性(Tc=25℃)
| 參數符號 | 參數説明 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|
| BVDSS | 漏源擊穿電壓 | VGS=0V,ID=250uA | 100 | - | - | V |
| RDS(ON) | 導通內阻 | VGS=10V,ID=3A | - | 88 | 110 | mΩ |
| RDS(ON) | 導通內阻 | VGS=4.5V,ID=2A | - | 95 | 125 | mΩ |
| VGS(th) | 柵極開啓電壓 | VDS=VGS,ID=250uA | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 漏源漏電流 | VDS=100V,VGS=0V | - | - | 10 | uA |
| Qg | 總柵電荷 | VDS=60V,ID=2A | - | 25.5 | - | nC |
| Td(on) | 開通延遲時間 | VDD=50V,ID=1A | - | 17.3 | - | ns |
| Td(off) | 關斷延遲時間 | VDD=50V,ID=1A | - | 50 | - | ns |
| Ciss | 輸入電容 | VDS=15V,f=1MHz | - | 677 | - | pF |
AP5N10SI SOT89-3L 封裝尺寸圖紙

封裝關鍵尺寸:A=1.4~1.6mm、E=2.3~2.6mm、E1=3.94~4.25mm、引腳間距e=1.5mm標準SOT89貼片規格,適配常規SMT貼片機量產。
AP5N10SI 典型電氣特性曲線

AP5N10SI 產品應用場景
1、鋰電池充放電保護板:三元鋰/磷酸鐵鋰保護開關,過流、過壓切斷迴路
2、手機/數碼產品快充電源模塊,5V/12V降壓開關電路
3、無線充電發射端、接收端功率開關管
4、小型DC-DC升壓/降壓開關電源、便攜儲能設備
5、電動玩具、小家電低壓功率控制迴路
AP5N10SI 兼容替換型號 & 競品優勢對比
AP5N10SI可直接Pin to Pin兼容替換市面100V/5A等級SOT89封裝N溝道MOS,包含國產與進口同規格功率管,相比通用競品綜合性能更優,核心對比參數如下:
| 對比項目 | AP5N10SI(APM原廠) | 市面普通100V SOT89 MOS |
|---|
| 最低柵驅動電壓 | 支持4.5V低壓驅動,適配MCU 5V系統 | 多數僅支持10V驅動,低壓內阻飆升 |
| VGS=10V導通內阻 | 典型88mΩ,發熱更低 | 130~180mΩ,損耗大温升高 |
| 柵極總電荷 | 25.5nC,開關速度快 | 35nC以上,開關損耗高 |
| 內置續流二極管 | 自帶體二極管,省去外置肖特基 | 部分無內置二極管,增加BOM |
| 脈衝電流能力 | 15A短時脈衝,抗浪湧強 | 8~10A脈衝,易浪湧損壞 |
| 工作温區 | -55~150℃寬温,工業級標準 | -40~125℃,高低温性能差 |
可直接替代型號:AP50N10、STD5N10、FDN5N10、SM5N10、YJ100N05等同封裝100V 5A N溝道MOSFET,無需修改PCB佈局。
APM同系列MOS管產品推薦
| 型號 | 耐壓 | 額定電流 | 封裝 | 典型應用 |
|---|
| AP5N10SI | 100V | 5A | SOT89-3L | 鋰電保護、手機快充、無線充 |
| AP3N60 | 600V | 3A | TO-252 | 適配器、小家電開關電源 |
| AP8N30 | 30V | 8A | SOT89 | 大電流鋰電保護、車載設備 |
| AP10P03 | 30V P溝道 | 10A | SOT23 | 便攜設備電源控制 |
廣晟微半導體企業介紹
廣晟微半導體(深圳)有限公司(以下簡稱“廣晟微”)成立於2023年,其前身流明芯(LUMENCHIP)創立於2010年,總部在科技之都深圳,是一家從成立伊始即專注於數模混合芯片的技術和產品落地,推動綠色智能科技發展的模擬芯片集成服務領導品牌。
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