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功率器件：MOSFET规格书解读及MOSFET如何选型？.pdf
一、 如何解读 MOSFET 规格书
注意：下面为两个典型同行的规格书标注
第一个规格书为只标注 Type，第二个规格书 Type 都不标注直接就等于号，这样很容易客户出现误解，把我们规格书首页的最大值去匹配他们的典型值。同时这里面会存在一个隐患，因为MOSFET 参数本身是一个会存在离散的，如果规格书首页标注的是典型值，客户误解以为是标准参数，大客户测试标准是根据规格书测试，假设标准为 13Mr 内阻,但是由于离散在 15Mr，但是因为最大值在 18Mr 所以他在测试的时候不会筛掉。但是大客户根据你测试出来在 15Mr，比你标准的内阻高了 2Mr，这个时候很容易造成误解从而会进入大客户黑名单，所以一般来说，行业标准类似英飞凌，ON，ST 或者台系品牌或者新结能等品牌都是在首页标注最大值。(Type:典型值 Min：最小值 Max：最大值)
注意：
开启电压：
这里很多人员刚接触 MOS 会有一个误区，认为我只需要给到规格书标注的电压就可以将 MOS 打开，这个是有问题。MOS 分成半导通（图一）和全导通两种概念。当你给到驱动电压值后 MOS 会打开，但是会处于半导通，当你给到一定压降后 MOS 才会完全打开。
全导通条件：Vth（Type）x3=完全导通电压
注：实际条件下可以参考 Type 值作为参考值，但是建议理论上要根据最大值作为计算值
一般情况下不同开启电压内阻可以参考如下公式（不可作为标准，仅供参考）
结电容：
关于结电容数据，很多工程师一直纠结结电容数据，认为结电容越低越好。 但是其实对于结电容数据来看，他代表的是栅氧层厚度，结电容越大。一般情况下，结电容越大，芯片尺寸 越大。对应开关速度会比较慢根据开关速度，我们总结了一些我们客户的一些对结电容的参考对照表
二、如何比较替换 MOSFET。
MOS 匹配替换几个指标：
A：Design process（设计工艺）
B：channel（沟道）
C：Package（封装形式）
D：BVDSS（耐压）
E：RDS-Type/RDSMax（内阻）
F：Vth（开启电压）
注：请注意关于内阻，很多公司都是为了迎合市场需要往往在首页标注典型值/最小值。对比原则要一一对应。
1、当客户咨询 A 型号 MOS，你们是否有替换的产品的时候。该如何处理？
例如：客户咨询英飞凌 IPP070N08N3G,该如何去匹配替换的型号呢？
先上半导小芯 http://www.semiee.com/ 官网输入英飞凌型号，查看首页查看：设计工艺，沟道，封装形式
接下来主要要查看第二页数据：耐压，开启电压，内阻典型值
步骤一：对照 APM mosfet list，先挑选工艺
Opti 工艺对应 SGT 工艺。
步奏二：进入 VDS（耐压）筛选表，对应耐压值筛选按键。例如：IPP070N08N3G 为 80V 产品，因此勾选 80 或者 80V 以上的产品耐压
步骤三：找到 Package 筛选页面，找到对应的封装形式。例如：IPP070N08N3G 为 TO-220-3
步骤四：找到 Vgs（th）表格，挑选典型值接近产品，（注意：是接近的，MOSFET 是没有绝对一样的典型值的，接近的即可）
步骤五：找到 RDS-10V 这个系列，选择典型值接近的产品。
步骤六：选择常出货的产品：最后选择了 AP120N08P
三、如何从源头设计选型 MOS。
步骤一：先选择驱动电压（Vth）
判断 MOSFET GS 实际驱动电压是多少，根据公式：完全导通电压=Vth*3。计算出应该选择 MOS 的驱动电压
的范围，（在很多时候可以参考 MOS 的 Vth Type）
步奏二：选择合适的耐压（VDS）
常规而言，VDS=实际工作电压*1.5。
但是根据不同应用会产生不同的余量设计，下面是根据不同应用汇总的一个参考指标
步骤三：选择合适的封装（Package）
1、考量封装形式通用性
2、考量产品设计的尺寸大小
3、考量产品功率和设计余量温度，根据封装热阻系数选择封装形式
热阻系数：表示功率每上升 1W，会产生多少温度
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