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     12-250V Trench沟槽N-MOS 筛选

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    制造商 : 不限

    APM永源微

    分类目录: 不限

    12-250V Trench沟槽N-MOS

    产品关键字: 不限

    N-MOS,APM MPS,台湾永源微，

    典型应用方案: 不限

    美容雾化,小信号开关MOS,蓄电池保护, Load switch 负载开关,UPS

    替代型号: 不限

    3N10，

    反馈结电容Crss: 不限

    Crss=23pF,

    输出结电容Coss: 不限

    Coss=41pF,

    输入结电容Ciss: 不限

    Ciss=711pF,

    栅漏电荷Qgd: 不限

    Qgd=2.4nC,

    栅源电荷Qgs: 不限

    Qgs=2.2nC,

    总栅极电荷Qg: 不限

    Qg=13.6nC,

    开启电压Vgs(th): 不限

    Vgs(th).Min.=1.0V,Vgs(th).Typ=1.5V,Vgs(th).Max.=2.5V,

    导通内阻Rdson @4.5V(mΩ): 不限

    Rdson Max.@4.5V=320mΩ,

    导通内阻Rdson @10V(mΩ): 不限

    Rdson Max.@10V=310mΩ,

    Ron*Qg(优值，FOM)(Ω.nC): 不限

    无静电保护，

    最大驱动电压VGS (±V): 不限

    VGS=±20,

    最大漏源电流ID（A）: 不限

    ID =2.8 A,

    击穿电压VDS(V): 不限

    VDS = 100V,

    最小包装MOQ（Pcs）: 不限

    3000PCS,

    工艺技术: 不限

    沟槽工艺Trench N-MOS,

    极性: 不限

    N-MOS,

    沟槽类型: 不限

    100V N沟道增强型MOSFET,
    已选条件: Coss=41pF, Qgd=2.4nC, Qgs=2.2nC, Vgs(th).Min.=1.0V,Vgs(th).Typ=1.5V,Vgs(th).Max.=2.5V, VGS=±20, VDS = 100V, [ 共找到 1 款产品 ]
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     12-250V Trench沟槽N-MOS

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    AP3N10BI
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    		 AP3N10BI APM永源微
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