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制造商 : 不限

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分类目录: 不限

12-250V Trench沟槽N-MOS

产品关键字: 不限

N-MOS,APM MPS,台湾永源微，N+P沟道MOS,100V N+P-沟道MOS，开关MOS，N+P-MOS,N+P场效应管，N+P双MOS管

典型应用方案: 不限

美容雾化,小信号开关MOS,蓄电池保护, Load switch 负载开关,UPS●蓄电池保护 ●负载开关 ●不间断电源

替代型号: 不限

3N10，

反馈结电容Crss: 不限

Crss=23pF,

输出结电容Coss: 不限

Coss=41pF,

输入结电容Ciss: 不限

Ciss=711pF,

栅漏电荷Qgd: 不限

Qgd=2.4nC,

栅源电荷Qgs: 不限

Qgs=2.2nC,N沟道：Qgs=1.4nC,P沟道：Qgs=3.5nC,

总栅极电荷Qg: 不限

Qg=13.6nC,N沟道：Qg=7.6nC,P沟道：Qg=20nC,

开启电压Vgs(th): 不限

Vgs(th).Min.=1.0V,Vgs(th).Typ=1.5V,Vgs(th).Max.=2.5V,N沟道：Vgs(th)=3.0V,P沟道：Vgs(th)=-3.0V,

导通内阻Rdson @4.5V(mΩ): 不限

Rdson Max.@4.5V=320mΩ,N沟道：RDS(ON) < 300mΩ @ VGS=4.5V；P沟道：RDS(ON) < 230mΩ @ VGS=4.5

导通内阻Rdson @10V(mΩ): 不限

Rdson Max.@10V=310mΩ,N沟道：RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=10V；P沟道：RDS(ON) < 210mΩ @ VGS=10V，

Ron*Qg(优值，FOM)(Ω.nC): 不限

无静电保护，N沟道：FOM=0.57Ω.nC,P沟道：FOM=4.2Ω.nC

最大驱动电压VGS (±V): 不限

VGS=±20,VGS=±20，

最大漏源电流ID（A）: 不限

ID =2.8 A,N沟道：ID =8A，P沟道： ID =-6.5A ，

击穿电压VDS(V): 不限

VDS = 100V,VDS = 100V,

最小包装MOQ（Pcs）: 不限

3000PCS,5000PCS,

工艺技术: 不限

沟槽工艺Trench N-MOS,AP8G06NF采用先进的沟槽技术 以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和 栅极电压低至4.5V时的操作。

极性: 不限

N-MOS,N+P-沟道MOS，N+P双MOS

沟槽类型: 不限

Trench沟槽工艺N+P-MOS，100V N沟道增强型MOSFET,

封装形式: 不限

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 12-250V Trench沟槽N-MOS

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