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製造商 : 不限

JIEJIE MICROELECTRONICS

分類目錄: 不限

單向可控硅

器件類型: 不限

门极带阻灵敏型单向可控硅（SCR，G-K 内置电阻 RGK=10~80kΩ）

型號: 不限

JR0805K

封裝: 不限

TO-252

環保標準: 不限

RoHS 合规

適用場景: 不限

直发器、点火器、负离子发生器等

絲印標識: 不限

JR0805K + 生产年月编码

文檔版本: 不限

-40 ~ 150 ℃Rev.A.1.1（2025.10.22 更新）

原廠: 不限

江苏捷捷微电子股份有限公司

代理 / 銷售: 不限

广晟微半导体 (深圳) 有限公司

通態有效值電流 IT (RMS): 不限

8A

斷態重複峯值電壓 VDRM / 反向重複峯值電壓 VRRM: 不限

600V

門極觸發電流 IGT: 不限

≤200μA

工作結温 Tj: 不限

-40 ~ 125 ℃（G-K 外接≤1kΩ 电阻；无外置电阻仅 110℃）

通態平均電流 IT (AV)（殼温≤76℃）: 不限

5A

通態有效值電流 IT (RMS)（殼温≤76℃）: 不限

8A

不重複浪湧峯值通態電流 ITSM（10ms，25℃）: 不限

80A

不重複浪湧峯值通態電流 ITSM（8.3ms，25℃）: 不限

88A

熔斷 I²t 值（10ms，25℃）: 不限

32A²·s

通態電流臨界上升率 dI/dt: 不限

50A/μs（IG=2×IGT，100Hz，Tj=125℃）

峯值門極電流 IGM: 不限

4A（脉冲 20μs，125℃）

平均門極功耗 PG (AV): 不限

1W（Tj=125℃）

峯值門極功耗 PGM: 不限

5W

非重複斷態峯值脈衝電壓 Vpp: 不限

0.5kV（Tj=25℃）

通態峯值壓降 VTM: 不限

1.55 V（ITM=16A，tp=380μs，Tj=25℃）

閾值電壓 VTO: 不限

0.79 V（Tj=125℃）

動態電阻 RD: 不限

0.02 Ω（ Tj=125℃）

斷態漏電流 IDRM (Tj=25℃): 不限

5μA （VD=VDRM，VR=VRRM）

反向漏電流 IRRM (Tj=125℃): 不限

0.5mA（VD=VDRM，VR=VRRM）

結到殻直流熱阻 Rth (j-c): 不限

4.5 ℃/W

結到環境直流熱阻 Rth (j-a): 不限

120 ℃/W
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 單向可控硅

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JR0805K-TR
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