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100V/8A N+P沟道增强型MOSFET-AP8G10NF

型号：
AP8G10NF
制造商：
APM
批号：
永源微AP8G10NF
描述：
Trench沟槽工艺N+P-MOS
分享：
0
库存：
0 PCS
货期：
正在投产
价格：
暂无价格
PDF：
询价数量：
封装形式 : PDFN5*6-8L，
典型应用方案 : ●蓄电池保护 ●负载开关 ●不间断电源
产品关键字 : N+P沟道MOS,100V N+P-沟道MOS，开关MOS，N+P-MOS,N+P场效应管，N+P双MOS管
沟槽类型 : Trench沟槽工艺N+P-MOS，
极性 : N+P-沟道MOS，N+P双MOS
工艺技术 : AP8G06NF采用先进的沟槽技术 以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和 栅极电压低至4.5V时的操作。
最小包装MOQ（Pcs） : 5000PCS,
击穿电压VDS(V) : VDS = 100V,
最大漏源电流ID（A） : N沟道：ID =8A，P沟道： ID =-6.5A ，
最大驱动电压VGS (±V) : VGS=±20，
导通内阻Rdson @10V(mΩ) : N沟道：RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=10V；P沟道：RDS(ON) < 210mΩ @ VGS=10V，
导通内阻Rdson @4.5V(mΩ) : N沟道：RDS(ON) < 300mΩ @ VGS=4.5V；P沟道：RDS(ON) < 230mΩ @ VGS=4.5
开启电压Vgs(th) : N沟道：Vgs(th)=3.0V,P沟道：Vgs(th)=-3.0V,
总栅极电荷Qg : N沟道：Qg=7.6nC,P沟道：Qg=20nC,
栅源电荷Qgs : N沟道：Qgs=1.4nC,P沟道：Qgs=3.5nC,
Ron*Qg(优值，FOM)(Ω.nC) : N沟道：FOM=0.57Ω.nC,P沟道：FOM=4.2Ω.nC
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