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12-250V Trench沟槽N-MOS
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制造商 :
不限
APM
分类目录:
不限
12-250V Trench沟槽N-MOS
产品关键字:
不限
N-MOS,APM MPS,台湾永源微,
典型应用方案:
不限
美容雾化,小信号开关MOS,蓄电池保护, Load switch 负载开关,UPS
替代型号:
不限
3N10,
反馈结电容Crss:
不限
Crss=23pF,
输出结电容Coss:
不限
Coss=41pF,
输入结电容Ciss:
不限
Ciss=711pF,
栅漏电荷Qgd:
不限
Qgd=2.4nC,
栅源电荷Qgs:
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Qgs=2.2nC,
总栅极电荷Qg:
不限
Qg=13.6nC,
开启电压Vgs(th):
不限
Vgs(th).Min.=1.0V,Vgs(th).Typ=1.5V,Vgs(th).Max.=2.5V,
导通内阻Rdson @4.5V(mΩ):
不限
Rdson Max.@4.5V=320mΩ,
导通内阻Rdson @10V(mΩ):
不限
Rdson Max.@10V=310mΩ,
Ron*Qg(优值,FOM)(Ω.nC):
不限
无静电保护,
最大驱动电压VGS (±V):
不限
VGS=±20,
最大漏源电流ID(A):
不限
ID =2.8 A,
击穿电压VDS(V):
不限
VDS = 100V,
最小包装MOQ(Pcs):
不限
3000PCS,
工艺技术:
不限
沟槽工艺Trench N-MOS,
极性:
不限
N-MOS,
沟槽类型:
不限
100V N沟道增强型MOSFET,
12-250V Trench沟槽N-MOS
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