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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

收起筛选

制造商 : 不限

功成半导体

分类目录: 不限

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

工艺技术: 不限

深沟槽超结MOS

产品优势: 不限

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C

产品性能: 不限

超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场

封装形式: 不限

TO-252TO-220TO-220FTO-263

沟槽类型: 不限

N-channel Super Junction MOSFET

极性: 不限

N-channel

击穿电压VDS(V): 不限

550650

最大漏源电流ID（A）: 不限

2021

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

190

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

150160170

产品关键字: 不限

CPD55R190G3CPA65R190C1CPB65R190C1CPP65R190C1CPA65R190FC1CPB65R190FC1CPP65R190FC1CPP65R190G1CPB65R190G1CPA65R190G1CPA65R190FD1CPP65R190FD1CPB65R190FD1CPA65R190FT4CPB65R190FT4

已选条件: 深沟槽超结MOS N-channel Super Junction MOSFET N-channel 190 [ 共找到 15 款产品 ]

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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

	图片	型号	制造商	价格	库存	货期	批号	操作
	查看大图	CPP65R190FC1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPP65R190FC1... TO-220
	查看大图	CPP65R190G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPP65R190G1... TO-220
	查看大图	CPB65R190G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPB65R190G1... TO-263
	查看大图	CPA65R190G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPA65R190G1... TO-220F
	查看大图	CPA65R190FD1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPA65R190FD1... TO-220F
	查看大图	CPP65R190FD1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPP65R190FD1... TO-220
	查看大图	CPB65R190FD1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPB65R190FD1... TO-263
	查看大图	CPA65R190FT4	功成半导体	暂无价格	0	-	CPA65R190FT4... TO-220F
	查看大图	CPB65R190FT4	功成半导体	暂无价格	0	-	CPB65R190FT4... TO-263
	查看大图	CPA65R190C1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPA65R190C1... TO-220F
	查看大图	CPB65R190C1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPB65R190C1... TO-263
	查看大图	CPP65R190C1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPP65R190C1... TO-220
	查看大图	CPA65R190FC1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPA65R190FC1... TO-220F
	查看大图	CPB65R190FC1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPB65R190FC1... TO-263
	查看大图	CPD55R190G3	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD55R190G3... TO-252

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