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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

收起筛选

制造商 : 不限

功成半导体

分类目录: 不限

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

工艺技术: 不限

深沟槽超结MOS

产品优势: 不限

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C

产品性能: 不限

超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场

封装形式: 不限

TO-252

沟槽类型: 不限

N-channel Super Junction MOSFET

极性: 不限

N-channel

击穿电压VDS(V): 不限

500550600650800900950

最大漏源电流ID（A）: 不限

244.5581011141520

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

190280340380600650900950110012001500160022002400

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

150230280340500560800860950100013001400190020002100

产品关键字: 不限

CPD50R1K1G3CPD50R2K2G3CPD55R190G3CPD55R1K6G3CPD60R280G2CPD60R600FD2CPD60R1K5G3CPD60R2K2G3CPD65R340G2CPD65R380G3CPD65R650G2CPD65R950G2CPD65R2K4G3CPD80R650G1CPD80R650G2CPD80R900G1CPD90R1K2G1CPD95R1K5G1

已选条件: 深沟槽超结MOS TO-252 [ 共找到 18 款产品 ]

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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

	图片	型号	制造商	价格	库存	货期	批号	操作
	查看大图	CPD65R340G2	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD65R340G2... TO-252
	查看大图	CPD65R380G3	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD65R380G3... TO-252
	查看大图	CPD65R650G2	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD65R650G2... TO-252
	查看大图	CPD65R950G2	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD65R950G2... TO-252
	查看大图	CPD65R2K4G3	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD65R2K4G3... TO-252
	查看大图	CPD80R650G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD80R650G1... TO-252
	查看大图	CPD80R650G2	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD80R650G2... TO-252
	查看大图	CPD80R900G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD80R900G1... TO-252
	查看大图	CPD90R1K2G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD90R1K2G1... TO-252
	查看大图	CPD95R1K5G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD95R1K5G1... TO-252
	查看大图	CPD55R1K6G3	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD55R1K6G3... TO-252
	查看大图	CPD60R280G2	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD60R280G2... TO-252
	查看大图	CPD60R600FD2	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD60R600FD2... TO-252
	查看大图	CPD60R1K5G3	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD60R1K5G3... TO-252
	查看大图	CPD60R2K2G3	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD60R2K2G3... TO-252
	查看大图	CPD50R1K1G3	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD50R1K1G3... TO-252
	查看大图	CPD50R2K2G3	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD50R2K2G3... TO-252
	查看大图	CPD55R190G3	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD55R190G3... TO-252

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