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 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

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制造商 : 不限

功成半导体

分类目录: 不限

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

工艺技术: 不限

深沟槽超结MOS

产品优势: 不限

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C

产品性能: 不限

超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场

封装形式: 不限

TO-252

沟槽类型: 不限

N-channel Super Junction MOSFET

极性: 不限

N-channel

击穿电压VDS(V): 不限

600

最大漏源电流ID（A）: 不限

21015

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

28060015002200

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

23050013001900

产品关键字: 不限

CPD60R280G2CPD60R600FD2CPD60R1K5G3CPD60R2K2G3
已选条件: TO-252 N-channel Super Junction MOSFET 600 [ 共找到 4 款产品 ]
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 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

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CPD60R280G2
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 CPD60R280G2 功成半导体
  • 暂无价格
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CPD60R600FD2
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 CPD60R600FD2 功成半导体
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CPD60R1K5G3
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 CPD60R1K5G3 功成半导体
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 0 - CPD60R1K5G3...
CPD60R2K2G3
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 CPD60R2K2G3 功成半导体
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 0 - CPD60R2K2G3...
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