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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

收起筛选

制造商 : 不限

功成半导体

分类目录: 不限

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

工艺技术: 不限

深沟槽超结MOS

产品优势: 不限

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C

产品性能: 不限

超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场

封装形式: 不限

TO-252

沟槽类型: 不限

N-channel Super Junction MOSFET

极性: 不限

N-channel

击穿电压VDS(V): 不限

650

最大漏源电流ID（A）: 不限

24.581114

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

3403806509502400

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

2803405608602100

产品关键字: 不限

CPD65R340G2CPD65R380G3CPD65R650G2CPD65R950G2CPD65R2K4G3

已选条件: 深沟槽超结MOS TO-252 N-channel Super Junction MOSFET 650 [ 共找到 5 款产品 ]

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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

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	查看大图	CPD65R380G3	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD65R380G3... TO-252
	查看大图	CPD65R650G2	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD65R650G2... TO-252
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	查看大图	CPD65R2K4G3	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD65R2K4G3... TO-252

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