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 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

收起筛选

制造商 : 不限

工艺技术: 不限

产品优势: 不限

产品性能: 不限

超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场

极性: 不限

击穿电压VDS(V): 不限

最大漏源电流ID(A): 不限

25

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

140

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

120

 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

销量: 价格:
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  图片 型号 制造商 价格 库存 货期 批号 操作
CPW60R140FD3
CPW60R140FD3 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPW60R140FD3...
CPB60R140FD3
CPB60R140FD3 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPB60R140FD3...
CPA60R140FD3
CPA60R140FD3 功成半导体
  • 暂无价格
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CPP60R140FD3
CPP60R140FD3 功成半导体
  • 暂无价格
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CPB60R140FT4
CPB60R140FT4 功成半导体
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CPA60R140FT4
CPA60R140FT4 功成半导体
  • 暂无价格
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CPW65R140FD3
CPW65R140FD3 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPW65R140FD3...
CPB65R140FD3
CPB65R140FD3 功成半导体
  • 暂无价格
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CPA65R140FD3
CPA65R140FD3 功成半导体
  • 暂无价格
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CPP65R140FD3
CPP65R140FD3 功成半导体
  • 暂无价格
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CPB65R140FT4
CPB65R140FT4 功成半导体
  • 暂无价格
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CPA65R140FT4
CPA65R140FT4 功成半导体
  • 暂无价格
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