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 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

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制造商 : 不限

工艺技术: 不限

产品性能: 不限

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封装形式: 不限

极性: 不限

击穿电压VDS(V): 不限

650

最大漏源电流ID(A): 不限

21

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

190

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

160

 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

销量: 价格:
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  图片 型号 制造商 价格 库存 货期 批号 操作
CPP65R190FC1
CPP65R190FC1 功成半导体
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CPP65R190G1
CPP65R190G1 功成半导体
  • 暂无价格
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CPB65R190G1
CPB65R190G1 功成半导体
  • 暂无价格
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CPA65R190G1
CPA65R190G1 功成半导体
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CPA65R190FT4
CPA65R190FT4 功成半导体
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CPB65R190FT4
CPB65R190FT4 功成半导体
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CPA65R190C1
CPA65R190C1 功成半导体
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CPB65R190C1
CPB65R190C1 功成半导体
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CPP65R190C1
CPP65R190C1 功成半导体
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CPA65R190FC1
CPA65R190FC1 功成半导体
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CPB65R190FC1
CPB65R190FC1 功成半导体
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