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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选
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CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon C
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超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场
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图片 | 型号 | 制造商 | 价格 | 库存 | 货期 | 批号 | 操作 | |
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CPP65R190FC1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPP65R190FC1... |
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CPP65R190G1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPP65R190G1... |
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CPB65R190G1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPB65R190G1... |
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CPA65R190G1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPA65R190G1... |
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CPA65R190FT4 | 功成半导体 |
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0 | - | CPA65R190FT4... |
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CPB65R190FT4 | 功成半导体 |
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0 | - | CPB65R190FT4... |
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CPA65R190C1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPA65R190C1... |
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CPB65R190C1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPB65R190C1... |
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CPP65R190C1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPP65R190C1... |
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CPA65R190FC1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPA65R190FC1... |
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CPB65R190FC1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPB65R190FC1... |
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