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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

收起筛选

制造商 : 不限

功成半导体

分类目录: 不限

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

工艺技术: 不限

深沟槽超结MOS

产品优势: 不限

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C

产品性能: 不限

超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场

封装形式: 不限

TO-252TO-247TO-220TO-220FTO-263

沟槽类型: 不限

N-channel Super Junction MOSFET

极性: 不限

N-channel

击穿电压VDS(V): 不限

550800

最大漏源电流ID（A）: 不限

2024

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

180190

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

150

产品关键字: 不限

CPD55R190G3CPA80R180G1CPB80R180G1CPW80R180G1CPP80R180G1

已选条件: N-channel Super Junction MOSFET 150 [ 共找到 5 款产品 ]

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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

	图片	型号	制造商	价格	库存	货期	批号	操作
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	查看大图	CPB80R180G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPB80R180G1... TO-263
	查看大图	CPW80R180G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPW80R180G1... TO-247
	查看大图	CPP80R180G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPP80R180G1... TO-220
	查看大图	CPD55R190G3	功成半导体	暂无价格	0	-	CPD55R190G3... TO-252

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