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DC-DC三功能降压恒流LED驱动ICDC-DC异步降压恒压电源转换芯片DC-DC同步降压恒压电源转换芯片DC-DC异步升压恒压电源转换芯片DC-DC同步升压恒压电源转换芯片DC-DC升降压恒压电源转换芯片低压差线性稳压器LDO电源检测IC锂电池管理IC超低功耗DC-DC升压恒压电源转换芯片DC-DC降压恒流驱动ICDC-DC升压恒流驱动ICDC-DC升降压恒流驱动ICDC-DC低压差线性恒流驱动IC高压线性恒流驱动IC无频闪纹波消除抑制芯片DC-DC同步开关降压恒流驱动IC自带恒压恒流环路车充专用芯片AC-DC隔离恒流驱动ICAC-DC 非隔离恒流驱动IC车灯专用线性LED恒流驱动IC

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功率器件: 功率器件

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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

收起筛选

制造商 : 不限

功成半导体

分类目录: 不限

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

工艺技术: 不限

深沟槽超结MOS

产品优势: 不限

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C

产品性能: 不限

超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场

封装形式: 不限

TO-247

沟槽类型: 不限

N-channel Super Junction MOSFET

极性: 不限

N-channel

击穿电压VDS(V): 不限

600

最大漏源电流ID（A）: 不限

100

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

1722272830

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

151923242628

产品关键字: 不限

CPW60R028FD4CPW60R030FD1CPW60R030FT1CPW60R027FD1CPW60R027FT1CPW60R028FT4CPW60R030FT4CPW60R022FT1CPW60R017FD5

已选条件: 深沟槽超结MOS N-channel 100 [ 共找到 9 款产品 ]

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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

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	查看大图	CPW60R030FD1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPW60R030FD1... TO-247
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