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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选
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产品优势: 不限
CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon C
产品性能: 不限
超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场
500~1000V 深沟槽超结SJ MOS
图片 | 型号 | 制造商 | 价格 | 库存 | 货期 | 批号 | 操作 | |
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CPW60R090FD3 | 功成半导体 |
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0 | - | CPW60R090FD3... |
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CPP60R090FD3 | 功成半导体 |
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0 | - | CPP60R090FD3... |
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CPB60R090FD3 | 功成半导体 |
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0 | - | CPB60R090FD3... |
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CPA60R090FD3 | 功成半导体 |
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0 | - | CPA60R090FD3... |
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CPA65R099FD3 | 功成半导体 |
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0 | - | CPA65R099FD3... |
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CPB65R099FD3 | 功成半导体 |
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0 | - | CPB65R099FD3... |
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CPP65R099FD3 | 功成半导体 |
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0 | - | CPP65R099FD3... |
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CPW65R099FD3 | 功成半导体 |
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0 | - | CPW65R099FD3... |
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CPW65R099FT4 | 功成半导体 |
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0 | - | CPW65R099FT4... |
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CPA65R099FT4 | 功成半导体 |
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0 | - | CPA65R099FT4... |
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