500~1000V 深沟槽超结SJ MOS,500~1000V 深沟槽超结SJ MOS供应商,深圳500~1000V 深沟槽超结SJ MOS代理商,代理商,厂家, LED驱动产品选型,原装正品,500~1000V 深沟槽超结SJ MOS采购,采购,

点击这里咨询相关业务

扫描添加企业微信进行咨询交流

您所在的位置 > 首页 > 产品 > 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

隐藏

MCU单片机: MCU单片机

超低功耗32位MCU-Arm® Cortex®-M0+微控制器单片机32位MCU-Arm® Cortex®-M0+微控制器

如果您需要即时技术支持，请使用技术支持
或者通过屏幕上方的热线联系我们。

运算放大器: 运算放大器

通用运算放大器

如果您需要即时技术支持，请使用技术支持
或者通过屏幕上方的热线联系我们。

马达驱动&栅极驱动: 马达驱动&栅极驱动

单相半桥驱动器三相栅极驱动器高、低侧边驱动半桥栅极驱动器半桥IPM模块直流马达驱动直流马达栅极驱动无刷直流马达驱动 H 桥栅极驱动器步进马达驱动

如果您需要即时技术支持，请使用技术支持
或者通过屏幕上方的热线联系我们。

数模转换器DAC: 数模转换器DAC

通用数模转换器DAC高精度数模转换器DAC高速数模转换器DAC音频数模转换器DAC

如果您需要即时技术支持，请使用技术支持
或者通过屏幕上方的热线联系我们。

模数转换器ADC: 模数转换器ADC

高速模数转换器ADCΣ-Δ模数转换器ADC隔离式模数转换器ADCSAR模数转换器ADC音频模数转换器ADC

如果您需要即时技术支持，请使用技术支持
或者通过屏幕上方的热线联系我们。

电源管理芯片: 电源管理芯片

DC-DC三功能降压恒流LED驱动ICDC-DC异步降压恒压电源转换芯片DC-DC同步降压恒压电源转换芯片DC-DC异步升压恒压电源转换芯片DC-DC同步升压恒压电源转换芯片DC-DC升降压恒压电源转换芯片低压差线性稳压器LDO电源检测IC锂电池管理IC超低功耗DC-DC升压恒压电源转换芯片DC-DC异步降压恒流驱动ICDC-DC升压恒流驱动ICDC-DC升降压恒流驱动ICDC-DC低压差线性恒流驱动IC高压线性恒流驱动IC无频闪纹波消除抑制芯片DC-DC同步开关降压恒流驱动IC自带恒压恒流环路车充专用芯片AC-DC隔离恒流驱动ICAC-DC 非隔离恒流驱动IC车灯专用线性LED恒流驱动IC

如果您需要即时技术支持，请使用技术支持
或者通过屏幕上方的热线联系我们。

功率器件: 功率器件

12-250V Trench沟槽N-MOS30-250V SGT N-MOS300-12V P-MOS500~1000V 深沟槽超结SJ MOS55-1000V 平面MOS600~800V多层外延超结MOS1200V/1700V碳化硅SiC MOS650V/1200V碳化硅SiC肖特基二极管IGBTIPMN+N 双沟道N-MOSP+P 双沟道P-MOSN+P双沟道MOS

如果您需要即时技术支持，请使用技术支持
或者通过屏幕上方的热线联系我们。

物联网IoT+传感器Sensors: 物联网IoT+传感器Sensors

热释电红外传感器人体红外感应IC芯片菲涅尔透镜人体红外感应模块微波雷达感应模块生物感应传感器距离传感器

如果您需要即时技术支持，请使用技术支持
或者通过屏幕上方的热线联系我们。

>> 全部分类

热销产品

最近浏览产品

您还没有浏览任何产品

清空历史记录

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

收起筛选

制造商 : 不限

功成半导体

分类目录: 不限

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

工艺技术: 不限

深沟槽超结MOS

产品优势: 不限

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C

产品性能: 不限

超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场

封装形式: 不限

TO-247TO-220TO-220FTO-263

沟槽类型: 不限

N-channel Super Junction MOSFET

极性: 不限

N-channel

击穿电压VDS(V): 不限

800

最大漏源电流ID（A）: 不限

24

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

180

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

150

产品关键字: 不限

CPA80R180G1CPB80R180G1CPW80R180G1CPP80R180G1

已选条件: 深沟槽超结MOS N-channel Super Junction MOSFET 180 [ 共找到 4 款产品 ]

重新筛选

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

	图片	型号	制造商	价格	库存	货期	批号	操作
	查看大图	CPA80R180G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPA80R180G1... TO-220F
	查看大图	CPB80R180G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPB80R180G1... TO-263
	查看大图	CPW80R180G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPW80R180G1... TO-247
	查看大图	CPP80R180G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPP80R180G1... TO-220

共 4 款产品 | 当前页：1 / 1

4 条记录 1/1 页

询价列表

清空列表 | 隐藏

暂无数据，您可以通过点击页面内的添加询价按钮添加询价

型号	厂商	批号	需求数量	封装	接受价格	操作

您希望如何将RFQ通知到您 : Email 传真电话会员中心
Email :	*	电话 :	*
公司名 :	*	联系人 :	*
传真 :		联系地址 :

发送询价信息

首页 | 免费注册 | 关于我们 | 招贤纳士 | 联系我们 | 意见和建议 | 免责声明

全国服务热线：0755-23590775 24小时热线15361859386(Felix)

地址：深圳市龙华区大浪街道华荣路532号荣庆大厦723

传真：0755-29059280 Email：sales(at)lumen-chip.com

{注：E-mail地址为避免垃圾邮件，请将"(at)"换成“@”，Thanks!｝

版权所有 2010-2023 广晟微半导体（深圳）有限公司粤ICP备2023109624号