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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选
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产品优势: 不限
CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon C
产品性能: 不限
超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场
500~1000V 深沟槽超结SJ MOS
图片 | 型号 | 制造商 | 价格 | 库存 | 货期 | 批号 | 操作 | |
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CPA90R340G1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPA90R340G1... |
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CPB90R340G1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPB90R340G1... |
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CPW90R340G1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPW90R340G1... |
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CPP90R340G1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPP90R340G1... |
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CPA90R500G1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPA90R500G1... |
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CPB90R500G1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPB90R500G1... |
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CPP90R500G1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPP90R500G1... |
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CPA90R1K2G1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPA90R1K2G1... |
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CPD90R1K2G1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPD90R1K2G1... |
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CPP90R1K2G1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPP90R1K2G1... |
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