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 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

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制造商 : 不限

功成半导体

分类目录: 不限

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

工艺技术: 不限

深沟槽超结MOS

产品优势: 不限

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C

产品性能: 不限

超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场

封装形式: 不限

TO-247TO-220TO-220FTO-263

沟槽类型: 不限

N-channel Super Junction MOSFET

极性: 不限

N-channel

击穿电压VDS(V): 不限

900

最大漏源电流ID（A）: 不限

14

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

340

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

290

产品关键字: 不限

CPA90R340G1CPB90R340G1CPW90R340G1CPP90R340G1
已选条件: 深沟槽超结MOS 900 14 [ 共找到 4 款产品 ]
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 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

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CPA90R340G1
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 CPA90R340G1 功成半导体
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CPB90R340G1
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 CPB90R340G1 功成半导体
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CPW90R340G1
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 CPW90R340G1 功成半导体
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CPP90R340G1
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 CPP90R340G1 功成半导体
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