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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

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制造商 : 不限

功成半导体

分类目录: 不限

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

工艺技术: 不限

深沟槽超结MOS

产品优势: 不限

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C

产品性能: 不限

超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场

封装形式: 不限

TO-263

沟槽类型: 不限

N-channel Super Junction MOSFET

极性: 不限

N-channel

击穿电压VDS(V): 不限

650

最大漏源电流ID（A）: 不限

2021

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

190

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

160170

产品关键字: 不限

CPB65R190C1CPB65R190FC1CPB65R190G1CPB65R190FD1CPB65R190FT4

已选条件: TO-263 N-channel Super Junction MOSFET 650 190 [ 共找到 5 款产品 ]

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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

	图片	型号	制造商	价格	库存	货期	批号	操作
	查看大图	CPB65R190G1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPB65R190G1... TO-263
	查看大图	CPB65R190FD1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPB65R190FD1... TO-263
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	查看大图	CPB65R190C1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPB65R190C1... TO-263
	查看大图	CPB65R190FC1	功成半导体	暂无价格	0	-	CPB65R190FC1... TO-263

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