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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

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制造商 : 不限

功成半导体

分类目录: 不限

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

工艺技术: 不限

深沟槽超结MOS

产品优势: 不限

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C

产品性能: 不限

超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场

封装形式: 不限

TO-220

沟槽类型: 不限

N-channel Super Junction MOSFET

极性: 不限

N-channel

击穿电压VDS(V): 不限

800

最大漏源电流ID（A）: 不限

581724

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

180250650900

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

150220560800

产品关键字: 不限

CPP80R180G1CPP80R250G1CPP80R650G1CPP80R650G2CPP80R900G1

已选条件: TO-220 800 [ 共找到 5 款产品 ]

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500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

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	查看大图	CPP80R650G2	功成半导体	暂无价格	0	-	CPP80R650G2... TO-220
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