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 12-250V Trench沟槽N-MOS筛选

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制造商 : 不限

APM

分类目录: 不限

12-250V Trench沟槽N-MOS

产品关键字: 不限

AP5N10SI,APM MOSFET,100V N 沟道 MOS,SOT89,4.5V 低压驱动，锂电保护开关管，快充功率管

典型应用方案: 不限

锂电池保护板、手机快充、无线充电、小型 DC-DC 开关电源、小家电低压控制电路

替代型号: 不限

AP5N10SI、STD5N10、FDN5N10、SM5N10、YJ100N05

反馈结电容Crss: 不限

32

输出结电容Coss: 不限

46

输入结电容Ciss: 不限

677

栅漏电荷Qgd: 不限

4.3

栅源电荷Qgs: 不限

4.2

总栅极电荷Qg: 不限

25.5

开启电压Vgs(th): 不限

1.6V（典型值）

导通内阻Rdson @4.5V(mΩ): 不限

95mΩ

导通内阻Rdson @10V(mΩ): 不限

88mΩ

Ron*Qg(优值，FOM)(Ω.nC): 不限

2244Ω.nC

最大驱动电压VGS (±V): 不限

±20V

最大漏源电流ID（A）: 不限

5A

击穿电压VDS(V): 不限

100V

最小包装MOQ（Pcs）: 不限

3000PCS

工艺技术: 不限

先进沟槽功率 MOS 工艺

极性: 不限

N 沟道 (N-Channel)

沟槽类型: 不限

Trench 沟槽

封装形式: 不限

SOT89-3L
已选条件:4.295mΩ100V[ 共找到1 款产品 ]
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