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 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS筛选

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制造商 : 不限

功成半导体

分类目录: 不限

500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

工艺技术: 不限

深沟槽超结MOS

产品优势: 不限

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C

产品性能: 不限

超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场

封装形式: 不限

TO-220F

沟槽类型: 不限

N-channel Super Junction MOSFET

极性: 不限

N-channel

击穿电压VDS(V): 不限

600650

最大漏源电流ID（A）: 不限

36

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

9099

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

8082

产品关键字: 不限

CPA60R090FD3CPA60R090FT4CPA65R099FD3CPA65R099FT4
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 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

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CPA60R090FD3
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CPA60R090FD3功成半导体
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CPA60R090FT4
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CPA60R090FT4功成半导体
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CPA65R099FD3
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CPA65R099FD3功成半导体
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CPA65R099FT4
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CPA65R099FT4功成半导体
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