APM 一级代理 12-250V Trench沟槽N-MOS AP8N06SI
- 型号：
- AP8N06SI
- 制造商：
- APM
- 关键字：
- AP8N06SI,AP8N06SI MOS 管，60V 8.5A 场效应管，SOT89-3L N 沟道 MOS, 低内阻锂电池保护开关，4.5V 低压驱动 MOS, 永源微 MOSFET, 国产替代
- 描述：
- AP8N06SI 是 APM 永源微 60V/8.5A 沟槽 N 沟道 MOS，SOT89-3L 封装，典型 28mΩ 低内阻，支持 4.5V 单片机直驱，雪崩能量 21.5mJ，适用于充电宝、电动工具保护板。广晟微一级代理常备现货，提供样品与全套方案支持，可替代 AO6606 等同规格 MOS。
- 库存：
- 15000 PCS
AP8N06SI 60V/8.5A N沟道增强型MOS管 SOT89-3L贴片场效应管
SEO关键词：AP8N06SI、AP8N06SI MOS管、60V 8.5A N沟道MOS、SOT89-3L场效应管、低内阻MOSFET、电池保护开关管、负载开关MOS、永源微AP8N06SI、国产替代MOS管
产品核心参数摘要：AP8N06SI是APM永源微推出SOT89-3L封装60V N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽工艺，漏源耐压60V，25℃环境连续导通电流可达8.5A，10V栅压下典型导通内阻仅28mΩ，支持最低4.5V低压驱动适配3.3V单片机IO；低栅电荷设计开关速度快，单脉冲雪崩耐受能量21.5mJ，-55℃~150℃宽温稳定运行，单颗额定功耗1.2W，内置续流体二极管，广泛用于锂电池保护板、DC-DC转换、设备负载开关、小型UPS，广晟微常备原装现货，可直接兼容AO6606、HC070N06等同封装国产/进口MOS器件。
AP8N06SI MOS产品概述
AP8N06SI为APM永源微电子推出N沟道增强型功率MOS管，采用先进沟槽半导体工艺，拥有极低导通电阻、低栅极电荷，最低4.5V栅极即可驱动导通，适配MCU IO直接控制无需升压驱动。封装采用SOT89-3L小型贴片，散热性能优良，额定耐压60V、持续电流8.5A，单脉冲雪崩耐受21.5mJ，工作温度区间-55℃至150℃，符合RoHS环保标准，主要用于锂电池保护、设备负载开关、小型不间断电源等功率开关电路。
AP8N06SI核心产品优势
1、先进沟槽工艺，导通内阻极低，VGS=10V典型Rds(on)仅28mΩ，满载发热小，整机转换效率更高；
2、支持4.5V低压栅极驱动，普通MCU 3.3V/5V IO无需升压电路直接驱动，简化外围BOM；
3、低栅极总电荷Qg=20.3nC，开通、关断速度快，开关损耗低，适合高频开关电路；
4、60V高耐压，8.5A大持续电流，脉冲峰值电流14.6A，单脉冲雪崩能量21.5mJ，抗浪涌冲击；
5、内置体二极管，反向导通电流最大20A，适配双向负载、防反接保护电路；
6、SOT89-3L小型贴片封装，占板面积小，适配小型数码、便携电池设备；
7、宽温区间-55℃~150℃，高低温环境参数稳定，户外、车载设备可靠；
8、原厂标准3000颗/卷编带出货，适配全自动SMT贴片，广晟微常备现货交期稳定；
完整电气参数规格
绝对最大额定值（TC=25℃）
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
| 漏源耐压 | VDS | 60 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 25℃连续漏极电流 | ID | 8.5 | A |
| 70℃连续漏极电流 | ID | 5.8 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 14.6 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 21.5 | mJ |
| 雪崩电流 | IAS | 20.6 | A |
| 25℃总耗散功率 | PD | 1.2 | W |
| 存储温度 | TSTG | -55~150 | ℃ |
| 工作结温 | TJ | -55~150 | ℃ |
| 结到环境热阻 | RθJA | 62.5 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 36 | ℃/W |
电气特性（TJ=25℃）
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏源击穿电压V(BR)DSS | VGS=0V,ID=250μA | 60 | 65 | - | V |
| 零栅漏电流IDSS | VDS=60V,VGS=0V | - | - | 1.0 | μA |
| 栅极漏电流IGSS | VDS=0V,VGS=±20V | - | - | ±100 | nA |
| 开启阈值VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 1.0 | 1.6 | 2.5 | V |
| 导通电阻RDS(on) | VGS=10V,ID=10A | - | 28 | 40 | mΩ |
| 导通电阻RDS(on) | VGS=4.5V,ID=5A | - | 33 | 45 | mΩ |
| 输入电容Ciss | VDS=25V,f=1MHz | - | 1148 | - | pF |
| 输出电容Coss | VDS=25V,f=1MHz | - | 58.5 | - | pF |
| 反向传输电容Crss | VDS=25V,f=1MHz | - | 49.4 | - | pF |
| 总栅电荷Qg | VDS=30V,ID=10A | - | 20.3 | - | nC |
| 开通延迟td(on) | VDS=30V,RG=1.8Ω | - | 7.6 | - | ns |
| 上升时间tr | VDS=30V,RG=1.8Ω | - | 20 | - | ns |
| 关断延迟td(off) | VDS=30V,RG=1.8Ω | - | 15 | - | ns |
| 下降时间tf | VDS=30V,RG=1.8Ω | - | 24 | - | ns |
| 体二极管正向压降VSD | IS=20A | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间trr | IF=20A,dI/dt=100A/μs | - | 29 | - | ns |
引脚、内部结构与封装尺寸
SOT89-3L引脚定义
AP8N06SI为标准SOT89-3L三引脚贴片MOS，引脚排布：1脚栅极G、2脚漏极D、3脚源极S；底部金属散热焊盘与D极连通，PCB铺铜可大幅降低器件温升，提升持续载流能力。芯片内部集成N沟道MOS主体并联续流体二极管，可实现双向电流导通，简化防反接、负载回路设计。
内部电路框架说明
采用沟槽型垂直MOS结构，栅极与源极隔离耐压±20V，漏源60V阻断；源漏之间并联低反向恢复速度体二极管，适合感性负载续流；低栅电容结构，开关损耗低，4.5V低压驱动兼容通用MCU控制IO，无需额外电平转换芯片。
SOT89-3L封装关键尺寸
| 尺寸标识 | 最小值(mm) | 典型值(mm) | 最大值(mm) |
| 引脚宽度b | 0.40 | - | 0.58 |
| 器件本体宽度D | 4.40 | 4.50 | 4.60 |
| 散热焊盘D1 | 3.00 | - | 3.30 |
| 引脚长度L | 0.90 | - | 1.10 |
标准SOT89通用焊盘库可直接兼容AP8N06SI，PCB设计时D极散热焊盘大面积铺铜，降低热阻，提升8.5A满载长期工作稳定性。
典型应用电路与使用方法
标准电池保护电路
锂电池保护标准电路：AP8N06SI串联在电池负极回路，G极由保护IC/MCU控制，高电平导通实现电池放电通路；搭配稳压电阻限流栅极电流，体二极管实现充电反向导通，60V耐压适配多串锂电、12V/24V便携储能设备。
通用负载开关电路
电源输入VIN接D极，负载接S极输出，MCU IO串联1k~10k下拉电阻接G极，IO输出高电平MOS导通，IO低电平关断，适合LED灯、电机、模块电源通断控制，4.5V即可驱动，3.3V单片机无需升压。
产品使用注意事项
1、PCB散热：D极焊盘尽量加大铺铜面积，70℃环境下持续电流需降至5.8A以内；
2、栅极防护：G极串联1k~10k限流电阻，避免静电击穿栅极，预留下拉电阻防止误导通；
3、感性负载：电感、电机回路增加RC吸收，抑制反向电压击穿MOS；
4、回流焊：标准无铅工艺峰值温度≤260℃，高温焊接时间不超过40秒，防潮拆封及时使用；
产品应用场景
1、锂电/聚合物电池保护板：充电宝、手持吸尘器、电动工具、储能小电源充放电开关；
2、通用负载开关：LED照明模块、小型电机、蓝牙/WiFi模块电源控制；
3、小型不间断电源UPS、DC-DC降压升压转换电路；
4、3C数码：蓝牙耳机、便携风扇、美容仪、手持雾化器功率控制；
5、智能家居、安防设备低压功率开关回路；
订货包装信息
| 产品型号 | 封装 | 丝印标识 | 单卷数量 | 包装规格 |
| AP8N06SI | SOT89-3L | AP8N06SI | 3000颗 | 13寸防潮编带卷盘 |
原厂出货采用铝箔防潮袋密封，大批量整箱出货，广晟微可提供分卷、样品拆零服务，批量订单交期3-5个工作日。
兼容替代型号及竞品对比优势
可直接兼容替代MOS型号
同品牌兼容：AP4N06SI（4.8A小电流版本）；
国产替代：HC070N06LS、8N06 SOT89系列；
进口替代：ZXMS6005DN8、AO6606、SMF0608；
AP8N06SI与竞品参数对比
| 对比项目 | AP8N06SI | AO6606 | HC070N06LS |
| 耐压VDS | 60V | 60V | 60V |
| 持续电流ID | 8.5A | 6A | 6A |
| VGS=10V Rds(on) | 28mΩ典型 | 45mΩ | 200mΩ |
| 最低驱动电压 | 4.5V可用 | 4.8V | 5V以上 |
| 雪崩能量EAS | 21.5mJ | 12mJ | 8mJ |
| 封装 | SOT89-3L | SOT-23 | SOT89 |
| 供货渠道 | 广晟微常备现货 | 进口交期长 | 流通库存不稳定 |
AP8N06SI对比竞品核心优势
1、同等SOT89封装下最大8.5A载流，高于市面6A同类MOS，大功率负载无需更换大封装；
2、导通内阻远低于同规格国产竞品，发热更低，设备温升控制更优，延长电池续航；
3、4.5V低压栅极驱动，适配3.3V单片机，省去电平转换电阻，简化电路；
4、单脉冲雪崩耐受21.5mJ，抗电池冲击、电感反向电压能力更强，整机不良率更低；
5、广晟微一级代理原厂货源，现货充足，交期3-5天，价格优于进口MOS，配套完整技术资料；
产品配套技术服务
1、免费样品申领：每客户可免费申请5~20颗样品用于样机测试；
2、全套技术资料：原厂完整规格书、标准应用原理图、PCB封装库、回流焊参数；
3、电路方案支持：电池保护、负载开关电路整改、EMC优化技术指导；
4、一站式配套：同步供应MCU、保护IC、二极管、电阻电容全BOM物料；
广晟微半导体为APM永源微一级授权代理商，常备AP8N06SI整卷现货，提供免费样品、规格书、标准应用电路、PCB布线指导、批量阶梯报价全流程技术配套服务。
广晟微半导体企业介绍
广晟微半导体（深圳）有限公司（以下简称“广晟微”）成立于2023年，其前身流明芯（LUMENCHIP）创立于2010年，总部在科技之都深圳，是一家从成立伊始即专注于数模混合芯片的技术和产品落地，推动绿色智能科技发展的模拟芯片集成服务领导品牌。
广晟微集海内外优秀模式与渠道为一体，打破传统的独立分销、代理模式。创办具有更强生命力的集混合代理分销、市场分析与预测、技术方案服务、一站式配套供应于一体的双模式。旗下代理线与自有品牌共存，分销线与配套供应共存，三者相辅相成，特具风格。我们的宗旨只有一个，就是更好的全心全意为您服务，以满足客户需求为目标，为全球客户提供创新性、客户化的产品和服务，帮助客户实现持续赢利和成功，构建客户市场的未来。我们同客户深入沟通，提供独特的设计观点，为客户提供具有竞争力的全面的解决方案和产品。自主研发，面向各电子细分行业领先企业，提供系列电源管理和智能控制解决方案，代理&分销和方案服务领跑行业。
广晟微拥有业界最完整解决方案和MCU、电源管理芯片、AI芯片、信号链芯片、功率器件产品线，产品种类齐全， 涵盖信号处理、语音唤醒、语音识别、声纹识别、语音合成、知识图谱、自然语言处理、智能对话。凭借强大的营销策划能力和丰富专业的市场运作经验，获取授权的主要合作伙伴有韩国动运科技DONGWOON、华润微（PowTech、CR MICRO）、华晶微CRHJ、永源微APM、功成半导体COOLSEMI、安海半导体ANHI 、瑞森半导体Reasunos、欧创芯OCX、众芯元MassChip、上海芯龙XLSEMI、智芯半导体、纳芯威NSIWAY、屹晶微EGmicro、瑞盟科技、ChipWays、思必驰AISPEECH、航天民芯Aerosemi等。
广晟微秉承“以奋斗者为本，以客户为中心，坚持价值贡献”的企业价值观，专注代理芯片的技术和产品落地，推动绿色智能科技的持续发展，代理分销和应用方案领跑全球半导体细分领域。
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