| 沟槽类型 : | N-channel Super Junction MOSFET | |
|---|
| 工艺技术 : | 深沟槽超结MOS | |
|---|
| 极性 : | N-channel | |
|---|
| 封装形式 : | TO-263 | |
|---|
| 导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ. : | 390 | |
|---|
| 导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max : | 450 | |
|---|
| 最大漏源电流ID（A） : | 12 | |
|---|
| 击穿电压VDS(V) : | 950 | |
|---|
| 产品性能 : | 超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场 | |
|---|
| 产品优势 : | CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C | |
|---|
| 产品关键字 : | CPB95R450G1 | |
|---|
