100V/8A N+P沟道增强型MOSFET-AP8G10NF
AP8G10NF N+P-沟道增强型MOSFET描述
AP8G06NF采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用。
AP8G10NF 特性参数
VDS = 100V ID =8A
RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=10V
VDS = -100V ID =-6.5A
RDS(ON) < 210mΩ @ VGS=10V
AP8G10NF 典型应用
●蓄电池保护
●负载开关
●不间断电源
AP8G10NF包装标记和订购信息
产品型号
| 打印名称
| 封装方式
| MOQ（Pcs）
|
AP8G10NF
| AP8G10NF XXX YYYY | PDFN5*6-8L
| 5000
|
AP8G10NF绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有规定）
AP8G10NF N-沟道电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
备注：
1、 基于最大允许结温计算的连续电流。
2、 重复评级；脉冲宽度受最高结温限制。
3、 Pd基于最高结温，使用结壳热阻。
4、 VDD=50 V，RG=50Ω，L=0.3 mH，起始温度Tj=25°C。
5、 RθJA的值是用安装在带2oz的1/2 FR-4板上的设备测量的。铜，在Ta=25°C的静止空气环境中。
AP8G10NF P-沟道电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
备注：
1、 基于最大允许结温计算的连续电流。
2、 重复评级；脉冲宽度受最高结温限制。
3、 功率耗散PD基于最大结温，使用结到壳热阻。
4、 RθJA的值是用安装在带2oz的1/2 FR-4板上的设备测量的。铜，在TA=25°C的静止空气环境中
