华润矽威,低成本单段式线性LED驱动PT4515CE89C,PT4515CETOW,PT4515CEESH,PT4515CECPC,没有EMI的问题。无电感以及变压器,结构简单
PT4515CE89C,PT4515CETOW,PT4515CEESH,PT4515CECPC概述
PT4515C是一款高精度线性LED驱动芯片,采用单段式架构,没有EMI的问题。系统外围无需电感或变压器等磁性元件,整个系统结构简单,成本低。PT4515C采用专利的电流控制与补偿技术,电流精度可控制在±3%以内,可由外部电阻设定,峰值电流60mA。可多芯片并联使用增加电流输出能力。 PT4515C内置过温及高压自动降电流功能。
PT4515C采用TO252-3L、SOT89-3L、ESOP-8和CPC4封装。
PT4515CE89C,PT4515CETOW,PT4515CEESH,PT4515CECPC特点
●外围电路简单,无需磁性元件
●内部集成高压启动电路
●LED输出电流可调,支持最大峰值电流60mA
●支持多芯片并联以增加电流输出能力
●±3%LED输出电流精度
●优异的EMI性能
●过温自动调节电流功能
●高压自动调节电流功能
●过温保护功能
●采用TO252-3L、SOT89-3L、ESOP-8、CPC4封装
PT4515CE89C,PT4515CETOW,PT4515CEESH,PT4515CECPC应用
●LED蜡烛灯
●LED球泡灯/射灯
●其他紧凑型LED照明产品
PT4515CE89C,PT4515CETOW,PT4515CEESH,PT4515CECPC订购信息
| 封装 | 温度范围 | 订购型号 | 包装打印 | 产品打印 |
| TO252-2L | -40˚C to 85˚C | PT4515CETOW | 2500颗/盘 编带 | ![]() |
| SOT89-3L | -40˚C to 85˚C | PT4515CE89C | 1000颗/盘 编带 | ![]() |
| ESOP-8 | -40˚C to 85˚C | PT4515CEESH | 4000颗/盘 编带 | ![]() |
| CPC4 | -40˚C to 85˚C | PT4515CECPC | 15000颗/盘 编带 | ![]() |

图1. PT4515C典型应用电路图

注1:最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内,器件功能正常,但并不完全
保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数
规范。对于未给定上下限值的参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
注2:PCB条件:双面板,铜箔厚度2Oz,铺铜面积2Inch2,连接8个过孔。
注3:人体模型,100pF电容通过1.5KΩ电阻放电。

PT4515CE89C,PT4515CETOW,PT4515CEESH,PT4515CECPC功能描述
PT4515C是一款高精度线性LED驱动芯片,采用单段式线性架构,并且没有EMI 的问题。系统外围无需电感或变压器等磁性元件,整个系统结构简单,成本低。
PT4515CE89C,PT4515CETOW,PT4515CEESH,PT4515CECPC启动电压(OUT)
PT4515C工作电压由 OUT 引脚提供。当OUT引脚电压高于GND至芯片开启电压时,PT4515C开始工作,实现恒流控制。
恒流驱动(OUT ,REXT )
芯片可以通过REXT 电阻精确设定LED输出电流。

PT4515CE89C,PT4515CETOW,PT4515CEESH,PT4515CECPC过热调节功能
PT4515C具有过热调节功能 ,在芯片过热时(>135℃ typ.)会逐渐减小输出电流,从而控制输出功率和温升,使芯片温度保持在恒定值,以提高系统的可
靠性。过热降电流时输出电流最多减少到设定输出电流的八分之一左右。系统会不断检测芯片温度,当芯片温度降到135℃(typ.)以下时,系统电流恢复正常。
PT4515CE89C,PT4515CETOW,PT4515CEESH,PT4515CECPC高压降电流功能
PT4515C具有高压降电流功能,在芯片OUT引脚(TO252, SOT89-3 & CPC4)或OVP引脚(ESOP-8)电压过高时(>80V typ.)会逐渐减小输出电流,使输出功率保持在近似恒定值,以提高系统的稳定性。高压降电流时输出电流最多减少到设定输出电流的三分之一。系统会不断检测OUT或OVP引脚电压,当OUT或OVP引
脚电压降到80V(typ.)以下时,系统电流恢复正常。
PT4515CE89C,PT4515CETOW,PT4515CEESH,PT4515CECPC应用案例

图4. PT4515C并联应用电路原理图

图5. PT4515C串联应用电路原理图

图6. PT4515C填谷电路应用电路原理图1

图7. PT4515C填谷电路应用电路原理图2
单段线性LED驱动芯片PT4515C(PT4515CE89C,PT4515CETOW,PT4515CEESH,PT4515CECPC)应用说明
支持多芯片并联以增加电流输出能力。PT4515C高压线性单段线性恒流驱动应用:LED球泡灯,射灯,灯丝灯以及其他紧凑LED照明产品 | |||||||
| 应用灯具 | 输入电压 | 典型输出参数 | 典型效率 | 芯片封装 | 芯片和方案特点 | PCB信息 | 方案资料下载 |
| 9W LED球泡灯 | 180~264Vac | 250V@30mA | 87% | SOT89-3 | 采用单 段式架构,没有 EMI 的问题。系统外围无需电感或变压 器等磁性元件,整个系统结构简单,成本低。 | 灯板尺寸:55mmx55mm,板厚:1.2mm, 材质:铝基板, 单面板; | |
产品功能: 单段线性LED驱动芯片
常规应用: 蜡烛灯、灯丝灯、球泡灯及紧凑型LED照明产品
PT4515C产品概况
PT4515C是一款高精度线性LED驱动芯片,采用单段式架构,没有EMI的问题。系统外围无需电感或变压器等磁性元件,整个系统结构简单,成本低。PT4515C采用专利的电流控制与补偿技术,电流精度可控制在±3%以内,可由外部电阻设定,峰值电流60mA。可多芯片并联使用增加电流输出能力。PT4515C内置过温及高压降电流功能,过温保护功能。
●外围电路简单,无需磁性元件
●内部集成高压启动电路
●LED输出电流可调,支持最大峰值电流60mA
●支持多芯片并联以增加电流输出能力
●±3%LED输出电流精度
●优异的EMI性能
●过温自动调节电流功能
●高压自动调节电流功能
●过温保护功能
●采用TO252-3L、SOT89-3L、ESOP-8、CPC4封装
PT4515C典型应用电路

PT4515C工作原理介绍
PT4515C是一款高精度线性LED 驱动芯片,采用单段式线性架构,并且没有EMI 的问题。系统外围无需电感或变压器等磁性元件,整个系统结构简单,成本低。
PT4515C启动电压(OUT)
PT4515C工作电压由OUT引脚提供。当OUT引脚电压高于GND至芯片开启电压时,PT4515C开始工作,实现恒流控制。
PT4515C恒流驱动(OUT,REXT)
芯片可以通过REXT电阻精确设定LED输出电流。

PT4515C过热调节功能
PT4515C具有过热调节功能,在芯片过热时(典型值135℃)会逐渐减小输出电流,从而控制输出功率和温升,使芯片温度保持在恒定值,以提高系统的可靠性。过热降电流时输出电流最多减少到设定输出电流的八分之一。系统会不断检测芯片温度,当芯片温度降到135℃(典型值)以下时,系统电流恢复正常。
PT4515C过压降电流功能
PT4515C具有高压降电流功能,在芯片OUT引脚(TO252, SOT89-3 & CPC4)或OVP引脚(ESOP-8)电压过高时(>80V typ.)会逐渐减小输出电流,使输出功率保持在近似恒定值,以提高系统的稳定性。高压降电流时输出电流最多减少到设定输出电流的三分之一。系统会不断检测OUT或OVP引脚电压,当OUT或OVP引脚电压降到80V(typ.)以下时,系统电流恢复正常。
PT4515C关键元件参数设计
PT4515C单段式LED应用

外围仅3个元件:Fuse、整流桥和电阻REXT,根据应用场合需要,可选择在OUT对GND之间增加1个100pF/400V的陶瓷电容。
理论上,灯压越接近输入电压,电源效率越高,但线性调整率会变差。220Vac输入电压的典型应用条件,建议选择灯压约240Vdc的LED,可保证200Vac~260Vac近似恒功率。

PT4515C单段式LED无输入电解(2W灯丝灯应用:REXT=24Ω,VLED=240Vdc)
在整流器输出端增加合适的电解电容,牺牲部分PF,可达到消除频闪,提高输出功率的目的。电解电容可以在线电压低于LED灯压时为LED续流,提高每个周期内LED点亮的时间。如果电解电容足够大,LED可工作在100%导通的状态,从而完全消除频闪。此时,LED灯压不宜过低,以免触发过压降电流功能、或者因OUT对GND电压过高导致芯片严重发热引起过温降电流。适当的提高LED灯压还可以提高整个系统的效率,从而降低灯具散热设计的难度。

PT4515C单段式LED有输入电解(7W球泡灯应用:REXT=20Ω,VLED=260Vdc,Cin=4.7μF)
PT4515C单段式LED并联应用

单颗芯片受内部功率管输出电流能力和散热的限制,最大输出电流能力约60mA。若需要驱动更高的电流,可将2颗及以上的芯片并联使用,应用电路如图。
PT4515C多段式LED应用

几颗芯片串联可实现多段式LED应用,应用电路如图,其中REXT1< REXT2< REXT3< REXT4。根据各段LED的灯压灵活调整REXT1~REXT4,可获得极佳的PF和THD。需注意的是,PT4515C有高压降电流功能,低侧的各段LED灯压不宜超过65V。
PT4515C填谷电路应用

填谷电路应用1
传统填谷电路(如上图)需要使用较大功率的电阻,较占体积。使用下图的新型填谷电路,不仅可以在较宽的输入电压范围内实现恒流输出,还能消除频闪。与LED串联的芯片保证了LED恒流输出,另外一颗芯片则可以限制输入电压对电解电容充电的电流,从而调节电解电容上的电压和纹波,以实现最佳的LED恒流输出。

填谷电路应用2

填谷电路应用2:REXT1=51Ω,REXT2=18Ω,C=4.7uF/400V,VLED=240Vdc
PT4515C Tric调光应用

PT4515C有高压降电流功能(此时推荐使用无高压降电流功能的PT4515NH),因此由IC1、R2和R3组成的Bleed电路需要注意。若Bleed电流偏小可能导致可控硅重启(有些高压可控硅的维持电流比较大),易引起闪烁,增大薄膜电容C1即可改善。但是在有些调光器中,C1过大易引起LED在低亮时闪烁。因此不同的调光器需要适当的调整C1的值。
Bleed电流的设置会影响调光器调光的范围。请根据不同的调光器设置合适的Bleed电流。
对于调光效果尚可的调光器,如果改变电容C1的值,LED也会出现闪烁。例如,PANASONIC的调光器在C1为220nF时调光效果很好,但是如果将C1变更为100nF,LED在最亮状态时会出现闪烁。因此同一参数很难兼容全部的调光器,需要根据调光器适当的调整外围参数。
另外,可将R1,C1放到交流输入端来做调整。

PT4515C应用设计PCB Layout注意事项
1、OUT引脚会有比较高的电压,走线时需要注意彼此之间以及对低压器件和地线的距离。
2 、芯片的散热焊盘接地,需要大面积铺铜以帮助散热,双面板走线时可以用多个过孔与底部的地线连接加强散热。
PT4515C应用注意事项
1 、高温降电流温度点的分布范围约为125~150度,在应用环境温度较高时需增加散热,以免芯片过早进入高温降电流模式。
2 、REXT至OUT的ESD保护较弱,建议在生产过程中注意ESD防护。
3、 PT4515C有4种封装,SOT89-3适合50mA以下的小电流应用,TO252封装可适用于大电流应用。如果散热条件足够好, TO252封装的峰值电流可达80mA以上。此时,芯片达到设定电流所需的OUT端口电压会随着设定电流的增大而升高。
PT4515C 高精度线性LED驱动芯片 | 无EMI/低成本/多封装 适配多场景LED驱动
产品概述
核心卖点
关键电气参数
参数项 | 规格值(PT4515C) | 补充说明(适配应用场景) |
驱动类型 | 高精度线性LED驱动芯片 | 单段式架构,无EMI干扰,适配各类LED驱动场景 |
电流精度 | ±3% | 电流一致性优异,确保LED亮度均匀,无波动 |
最大峰值电流 | 60mA | 输出电流可通过外部电阻设定,适配不同功率LED |
电流调节方式 | 外部电阻设定,支持多芯片并联扩容 | 灵活调节电流,可适配大功率LED驱动需求 |
EMI性能 | 优异,无EMI干扰,无需额外抑制器件 | 满足电磁兼容标准,适配对干扰敏感的应用场景 |
保护功能 | 过温自动降电流、高压自动降电流 | 保护芯片与LED器件,提升系统可靠性与使用寿命 |
核心集成功能 | 内部集成高压启动电路 | 简化外围设计,降低开发难度,缩短开发周期 |
外围器件需求 | 无需电感、变压器等磁性元件 | 电路结构简单,降低物料成本与PCB布局难度 |
封装类型 | TO252-2L、SOT89-3L、ESOP-8、CPC4 | 适配不同空间布局与散热需求,覆盖多场景应用 |
封装选型
产品优势
对比项 | PT4515C | 传统线性LED驱动芯片 | 开关式LED驱动芯片 |
EMI性能 | 无EMI干扰,无需额外抑制器件 | 存在轻微EMI干扰,需额外处理 | EMI干扰明显,需添加大量抑制器件 |
外围电路复杂度 | 极简,无需电感、变压器等磁性元件 | 较复杂,需搭配多种辅助器件 | 复杂,需电感、变压器等磁性元件,布局难度高 |
成本控制 | 物料少、成本低,量产性价比高 | 物料较多,成本中等 | 物料多、成本高,EMI处理额外增加成本 |
电流精度 | ±3%高精度,电流一致性优异 | 精度较低(±5%~±10%),亮度波动明显 | 精度中等,受干扰易波动 |
电流扩容能力 | 支持多芯片并联,灵活提升电流 | 不支持或难以实现多芯片并联扩容 | 可扩容,但电路复杂度大幅增加 |
保护功能 | 过温、高压双重自动降电流保护 | 保护功能单一,多无高压保护 | 保护功能完善,但成本较高 |
封装适配性 | 四封装可选,适配多场景布局 | 封装单一,适配性有限 | 封装较多,但布局复杂限制适配性 |
开发难度 | 低,外围简单,内置高压启动,开发周期短 | 中等,需调试辅助器件,开发周期较长 | 高,需设计磁性元件布局,EMI调试难度大 |
典型应用场景
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